Nexperia(安世半導體)的 IGBT 產品系列優(yōu)化了開關損耗和導通損耗, 兼顧馬達驅動需求的高溫短路耐受能力，實現更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。

Nexperia致力于到2035年在其直接運營排放(范圍1)和為運營采購能源而產生的間接排放(范圍2)方面實現碳中和。這一變革性承諾需要借助可靠的來源向100%可再生能源過渡，為全球所有的公司運營和工廠提供電力。Nexperia全面的可持續(xù)發(fā)展計劃不僅致力于減少范圍1和范圍2的排放，而且最終將力求未來消除范圍3的排放，范圍3的排放代表公司全球價值鏈產生的間接排放。

SiC的介電擊穿場強比硅基器件高出約10倍，且在給定的截止電壓下，SiC的漂移層比硅基器件更薄且摻雜濃度更高，因此SiC的電阻率更低，傳導性能也更好。這意味著，在額定電壓相同的情況下，SiC芯片比其等效的硅芯片更小。

絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)面市已有些時日，事實上，通用電氣(GE)早在1983年6月就發(fā)布了其首款IGBT產品。從那時起，IGBT成為了中壓和高壓(>200 V )應用的主要器件，包括供暖通風與空氣調節(jié)(HVAC)系統(tǒng)以及電焊和感應加熱等高電流應用。隨著太陽能面板、電動汽車充電器和工業(yè)伺服電機的日益普及，市場對高壓解決方案的需求也在不斷攀升。為了滿足各個行業(yè)的需求，并進一步完善持續(xù)擴大的高壓技術產品組合(GaN和SiC)，Nexperia (安世半導體)正在推出多個 IGBT系列，首先便是600 V 器件。

在高功率應用中，碳化硅(SiC)的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia(安世半導體)如何將先進的器件結構與創(chuàng)新工藝技術結合在一起，以進一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。