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  2023年1月，2022年行家說(shuō)全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇，暨2022行家極光獎(jiǎng)(2022 Hangjia Aurora Award)頒獎(jiǎng)晚宴在深圳順利舉辦。Nexperia(安世半導(dǎo)體)突出重圍，將「GaN產(chǎn)業(yè)推動(dòng)先鋒」與「中國(guó)GaN 功率器件十強(qiáng)」兩項(xiàng)大獎(jiǎng)收入囊中，展現(xiàn)了作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)域全球領(lǐng)導(dǎo)者的強(qiáng)大實(shí)力。Nexperia(安世半導(dǎo)體)MOSFET 業(yè)務(wù)集團(tuán)大中華區(qū)總監(jiān)李東岳出席了晚宴并代表了安世半導(dǎo)體領(lǐng)獎(jiǎng)。

  在全球“雙碳”戰(zhàn)略的推動(dòng)下，整個(gè)能源系統(tǒng)都在向“清潔可再生”的新能源轉(zhuǎn)型，而新能源汽車、“光儲(chǔ)充”、數(shù)據(jù)中心等環(huán)節(jié)成為了實(shí)現(xiàn)“碳中和”的重要抓手。第三代半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵憑借高效率、高密度、小尺寸、低總成本等優(yōu)勢(shì)，成為了這場(chǎng)綠色能源革命的關(guān)鍵技術(shù)支撐，已經(jīng)被各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域廣泛采用，整個(gè)產(chǎn)業(yè)開(kāi)始駛?cè)肟燔嚨馈?/span>

  行家說(shuō)作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先的媒體與產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)代表，設(shè)立了“行家極光獎(jiǎng)”，旨在重點(diǎn)表彰供應(yīng)鏈的優(yōu)秀企業(yè)、做出重要應(yīng)用表率的企業(yè)以及具有技術(shù)突破或拓寬應(yīng)用邊界的優(yōu)秀產(chǎn)品，為行業(yè)樹(shù)立標(biāo)桿。經(jīng)過(guò)數(shù)月的緊張?jiān)u選，Nexperia(安世半導(dǎo)體)獲得了業(yè)界認(rèn)可，在眾多參選企業(yè)中脫穎而出，榮獲大獎(jiǎng)。

  GaN產(chǎn)業(yè)推動(dòng)先鋒獎(jiǎng)

  獲得本年度“氮化鎵產(chǎn)業(yè)推動(dòng)先鋒”獎(jiǎng)項(xiàng)的企業(yè)長(zhǎng)期深耕氮化鎵技術(shù)，在行業(yè)里擁有廣泛的影響力，并且長(zhǎng)期活躍于各個(gè)應(yīng)用市場(chǎng)。經(jīng)過(guò)多年快速發(fā)展，他們?cè)诘夘I(lǐng)域享譽(yù)盛名，而且市場(chǎng)占有率保持領(lǐng)先，在氮化鎵的技術(shù)水平、質(zhì)量水平提升等方面具有示范效應(yīng)，為推動(dòng)全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展作出了重要貢獻(xiàn)。

  中國(guó)GaN 功率器件十強(qiáng)

  該獎(jiǎng)項(xiàng)主要表彰本年度碳化硅/氮化鎵供應(yīng)鏈中快速崛起的優(yōu)秀企業(yè)，他們實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體材料、器件、模塊和裝備等環(huán)節(jié)技術(shù)的突圍，并且在全球化道路上邁出堅(jiān)實(shí)的步伐，提升中國(guó)第三代半導(dǎo)體的全球影響力。獲得十強(qiáng)榜單獎(jiǎng)項(xiàng)的企業(yè)在品牌影響力、市場(chǎng)占有率、創(chuàng)新能力和未來(lái)的發(fā)展?jié)摿Φ染C合實(shí)力較為突出。

  △ Nexperia 推出氮化鎵功率器件 (GaN FET)

  安世半導(dǎo)體一直投資和研發(fā)自有氮化鎵工藝技術(shù)。通過(guò)逐年的經(jīng)驗(yàn)積累和技術(shù)深入，掌握未來(lái)如何以最優(yōu)方式運(yùn)用這項(xiàng)技術(shù)。目前遍布全球的自有化生產(chǎn)基地可以提供真正車規(guī)級(jí) AEC-Q101 認(rèn)證的產(chǎn)品。新一代的安世半導(dǎo)體氮化鎵(HEMTs)，提供業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻，更高的開(kāi)關(guān)穩(wěn)定性，可顯著提升動(dòng)態(tài)性能。

  安世半導(dǎo)體不到三年就推出三代 650 V 高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)，提供從 2 kW 到 250 kW的 GaN 應(yīng)用方案并推向更高的功率水平。此外，安世持續(xù)改進(jìn)主力產(chǎn)品—— MOSFET，對(duì)于客戶而言使用高效的功率半導(dǎo)體比以往任何時(shí)候都重要，安世半導(dǎo)體的產(chǎn)品將為節(jié)能降耗做出更多貢獻(xiàn)，推動(dòng)早日實(shí)現(xiàn)“碳中和”的目標(biāo)。