功率半導(dǎo)體對助力碳中和具有重大意義，安世半導(dǎo)體（Nexperia）作為全球知名的功率半導(dǎo)體IDM企業(yè)，通過推出大量低功耗功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、采用低功耗工藝技術(shù)等方式助力碳中和。

安世半導(dǎo)體

安世半導(dǎo)體是半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、GaN FET（氮化鎵場效應(yīng)晶體管）以及模擬IC和邏輯IC等，產(chǎn)品種類多達15000+。

面對碳中和對功率半導(dǎo)體所提出的提高能源轉(zhuǎn)換效率等方面要求，安世半導(dǎo)體具有顯著優(yōu)勢，其產(chǎn)品在工藝、尺寸、功率及性能等方面獲得行業(yè)廣泛認(rèn)可，擁有先進的小尺寸封裝技術(shù)，可有效節(jié)省功耗及空間。此外，安世半導(dǎo)體還在不斷進一步提高工藝技術(shù)設(shè)計，如新型DHXQFN封裝技術(shù)；并持續(xù)推出效率更佳、功率密度更高、電氣特性更強的產(chǎn)品，如第三代半導(dǎo)體功率器件等。

在封裝技術(shù)上，安世半導(dǎo)體采用100%銅夾片封裝技術(shù)，其LFPAK封裝可實現(xiàn)更強的電氣性能、更大電流能力；LFPAK貼片封裝體積較D2PAK小80%，相應(yīng)熱阻以及損耗更低；同等參數(shù)產(chǎn)品，小型化功率密度更高，且SOA安全區(qū)更大等。安世半導(dǎo)體通過減小尺寸以提高功率密度，以封裝小型化實現(xiàn)更強的電氣特性。

安世半導(dǎo)體推出用于標(biāo)準(zhǔn)邏輯器件的全球最小且最薄的14、16、20和24引腳封裝，其中如16引腳DHXQFN封裝比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)DQFN16無引腳器件小45%。新封裝不但比競爭產(chǎn)品管腳尺寸更小，而且還節(jié)省了25%的PCB面積，將大量邏輯功能整合到小尺寸系統(tǒng)中。

功率器件方面，安世半導(dǎo)體正在不斷推出更加高效的第三代半導(dǎo)體功率器件，以助力碳中和。與基于硅的傳統(tǒng)電力電子產(chǎn)品相比，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在應(yīng)用中具有更高的能源效率，從而對降低二氧化碳排放量有很大貢獻。這些材料的特性決定了它們特別適用于電動汽車及其充電站、數(shù)據(jù)中心或太陽能和風(fēng)力發(fā)電廠等可再生能源領(lǐng)域。

安世半導(dǎo)體已推出了系列GaN FET產(chǎn)品，主要面向汽車和物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，提供合適的高可靠性產(chǎn)品，公司GaN工藝基于成熟可靠的量產(chǎn)工藝，是目前行業(yè)領(lǐng)先的功率GaN FET技術(shù)。安世半導(dǎo)體也在加速推動GaN技術(shù)應(yīng)用于汽車電氣化，幫助降低二氧化碳排放、減少功耗，打造更環(huán)保的未來，助力碳中和。

公司與著名的汽車工程咨詢公司Ricardo建立合作伙伴關(guān)系，研究驗證基于安世半導(dǎo)體GaN技術(shù)的電動汽車牽引逆變器，并與國內(nèi)汽車行業(yè)主要供應(yīng)商聯(lián)合汽車電子有限公司在功率半導(dǎo)體GaN領(lǐng)域展開深度合作。此外，安世半導(dǎo)體還與上海電驅(qū)動公司聯(lián)合研制了新能源汽車GaN功率組件及電機控制器，這是中國首款滿足量產(chǎn)級的GaN電機控制器。

此外，安世半導(dǎo)體研發(fā)推出的GaN器件也可應(yīng)用于太陽能逆變器，尤其適合在單相光伏（PV）逆變器中使用。為提高利用太陽能的整體系統(tǒng)效率，很多工程師在太陽能逆變器設(shè)計中改用GaN FET。GaN FET不僅顯著改善整體轉(zhuǎn)換效率，有效降低光電轉(zhuǎn)換成本（LCOE），還讓用戶能夠更簡單地構(gòu)建體積更小、重量更輕、更可靠的逆變器。

除了高功率GaN器件外，安世半導(dǎo)體11月也推出了工業(yè)級650V、10A SiC肖特基二極管，正式進軍高功率SiC二極管市場，該產(chǎn)品樣品已開始供貨。安世半導(dǎo)體也正在使用Aixtron的全自動AIX G5 WW C生產(chǎn)技術(shù)布局高性能SiC市場，Aixtron MOCVD設(shè)備已部署在安世半導(dǎo)體漢堡晶圓廠，采用G5 WWC技術(shù)進行SiC外延批量生產(chǎn)。

碳化硅（SiC）肖特基二極管。

三年來，安世半導(dǎo)體不斷鞏固GaN器件技術(shù)領(lǐng)先性，從最初推出RDS(on)為60 mΩ的650V 晶體管，到30 mΩ的新器件，并很快將達到5 mΩ。第三代半導(dǎo)體是支撐新一代移動通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級的重點核心材料和電子元器件。

 安世將致力于第三代半導(dǎo)體前沿領(lǐng)域的研究與拓展，成為電動車用GaN器件的市場領(lǐng)導(dǎo)者，并將產(chǎn)品組合擴展到基于SiC的功率半導(dǎo)體器件