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Nexperia安世半導體在APEC 2024發(fā)布新型MOSFET
2024-02-29 449次

 

  Nexperia安世半導體宣布發(fā)布幾款新型MOSFET,以進一步拓寬其分立開關解決方案的范圍,可用于多個終端市場的各種應用。此次發(fā)布的產品包括用于 PoE、eFuse 和繼電器替代產品的 100 V 應用專用 MOSFET (ASFET),采用 DFN2020 封裝,體積縮小 60%,以及改進了電磁兼容性(EMC)的 40 V NextPowerS3 MOSFET。

  PoE交換機通常有多達48個端口,每個端口需要2個MOSFET提供保護。單個PCB上有多達96個MOSFET,小型化器件封裝尺寸的解決方案極具吸引力。為此,Nexperia發(fā)布了采用2 mm x 2 mm DFN2020封裝的100 V PoE ASFET,與以前采用LFPAK33封裝的版本相比,占用的空間減少了60%。這些器件的一個關鍵功能是通過限制浪涌電流來保護PoE端口,同時安全地管理故障情況。為了應對這種情況,Nexperia將這些器件的安全工作區(qū)(SOA)增強了3倍,而RDS(on)只有非常微小的增幅。 這些ASFET還適用于電池管理、Wi-Fi熱點、5G微微蜂窩和閉路電視應用,并且可以替代智能恒溫器中的機械式繼電器等。

MOSFET開關引起的EMC相關問題通常只出現(xiàn)在產品開發(fā)周期的后期,解決這些問題可能會產生額外的研發(fā)成本并延遲市場發(fā)布。典型的解決方案包括使用更昂貴且RDS(on)較低的MOSFET(以減慢開關速度并吸收過多的電壓振鈴)或安裝外部電容緩沖器電路,但這種方法的缺點是會增加元件數(shù)量。Nexperia優(yōu)化了其40 V NextPowerS3 MOSFET,以提供與使用外部緩沖器電路可實現(xiàn)的相似的EMC性能,同時還提供更高的效率。這些MOSFET采用LFPAK56封裝,適用于各種應用的開關轉換器和電機控制器。

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    2024-02-29 450次
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