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  Nexperia安世半導體宣布 Nexperia TrEOS 產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品，即 PESD4V0Y1BBSF 和 PESD4V0X2UM 極低鉗位電壓 ESD 保護二極管。這些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的觸發(fā)電壓和極低的鉗位電壓以及寬通帶，浪涌抗擾度出眾，具備卓越的 IEC61000-4-5 浪涌等級。

  Nexperia 高級產(chǎn)品經(jīng)理 Stefan Seider 表示：

  Nexperia 開發(fā)了 TrEOS 產(chǎn)品組合，專門用于為我們的客戶提供一系列適用于 USB3.2、USB4?、Thunderbolt?、HDMI 2.1 和通用閃存等應用的高性能 ESD 保護解決方案。PESD4V0Y1BBSF 和 PESD4V0X2UM 的快速開關速度可為高速數(shù)據(jù)線提供極為有效的ESD峰值抑制性能，而其低觸發(fā)電壓有助于顯著降低 IEC61000-4-5 8/20 μs 浪涌脈沖所含的能量。

  單數(shù)據(jù)線 PESD4V0Y1BBSF 采用低電感 DSN0603-2 封裝，觸發(fā)電壓為 6.3 V TLP，典型器件魯棒性和電容分別為 25 A 8/20 μs 和 0.7 pF。PESD4V0Y1BBSF 提供的鉗位電壓在 16 A 100 ns TLP 時僅為 2.4 V，在 20 A 8/20 μs 浪涌時僅為 3.4 V。雙數(shù)據(jù)線 PESD4V0X2UM 采用緊湊型 DFN1006-3 封裝，觸發(fā)電壓為 8 V，典型器件魯棒性超過 14 A 8/20 μs，典型器件電容為 0.82 pF。

  雖然這兩種器件都可為 USB2.0 D+/D- 線路提供出色的保護作用，但 PESD4V0Y1BBSF 的 S21 通帶超過 7.5 GHz，因此適用于 5 Gbps 時的 USB3.x。這兩種器件都可提供高水平的抗浪涌性能，出眾的 IEC61000-4-5 浪涌等級。

  ? PESD4V0Y1BBSF

 

  ? PESD4V0X2UM