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海力士 H5ANAG6NDMR-VKC:高效能 DDR4 內(nèi)存芯片解析
2025-09-05 284次


海力士 H5ANAG6NDMR-VKC 作為一款高性能 DDR4 SDRAM 芯片,憑借精準(zhǔn)的參數(shù)設(shè)計(jì)與先進(jìn)的技術(shù)優(yōu)化,在消費(fèi)電子與工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域占據(jù)重要地位。其兼顧穩(wěn)定性與能效比的特性,使其成為多場(chǎng)景下的優(yōu)選內(nèi)存解決方案。

 

一、核心參數(shù)解析

 

(一)容量與位寬設(shè)計(jì)

 

該芯片容量為 8Gb,采用 1G×8 的組織架構(gòu),8 位位寬設(shè)計(jì)使其在單次數(shù)據(jù)傳輸中可處理 8 位信息。這種配置在中小型數(shù)據(jù)處理場(chǎng)景中優(yōu)勢(shì)明顯,例如智能電視、家用路由器等設(shè)備,既能滿足日常運(yùn)算需求,又避免了資源浪費(fèi),實(shí)現(xiàn)了性能與成本的平衡。

 

(二)數(shù)據(jù)傳輸性能

 

數(shù)據(jù)速率達(dá)到 2400Mbps,屬于 DDR4 產(chǎn)品中的主流水平。這一速率可滿足多數(shù)消費(fèi)電子設(shè)備的運(yùn)行需求,在高清視頻播放、多任務(wù)后臺(tái)運(yùn)行等場(chǎng)景中,能快速完成數(shù)據(jù)交換,將應(yīng)用啟動(dòng)時(shí)間縮短 20% 以上,提升用戶操作體驗(yàn)。

 

(三)封裝與環(huán)境適應(yīng)性

 

采用 FBGA-78 封裝形式,78 個(gè)引腳實(shí)現(xiàn)緊湊的電路連接,封裝尺寸為 8mm×8mm,非常適合空間受限的小型設(shè)備。工作電壓穩(wěn)定在 1.2V,相比傳統(tǒng) DDR3 芯片降低約 15% 的功耗,配合 0℃至 + 85℃的商業(yè)級(jí)溫度范圍,既能適配家庭環(huán)境的電子設(shè)備,又能應(yīng)對(duì)輕度工業(yè)場(chǎng)景的溫度波動(dòng)。

 

二、關(guān)鍵技術(shù)特性

 

(一)優(yōu)化型 DDR4 架構(gòu)

 

采用海力士第二代 1y nm 工藝制程,晶體管布局進(jìn)一步優(yōu)化,在相同面積下提升了 30% 的集成度。搭載單通道數(shù)據(jù)傳輸機(jī)制,時(shí)鐘信號(hào)上升沿觸發(fā)數(shù)據(jù)處理,配合 4 位預(yù)取設(shè)計(jì),使內(nèi)存帶寬達(dá)到 19.2GB/s,可滿足 PCIe 3.0 接口設(shè)備的緩存需求,在數(shù)據(jù)交互中減少瓶頸。

 

(二)自適應(yīng)功耗調(diào)節(jié)

 

內(nèi)置智能電源管理單元,可根據(jù)設(shè)備負(fù)載動(dòng)態(tài)調(diào)整工作狀態(tài):待機(jī)時(shí)自動(dòng)切換至 0.8V 休眠模式,功耗降低 60%;運(yùn)行大型程序時(shí)恢復(fù) 1.2V 滿負(fù)荷供電,確保性能不衰減。這一特性對(duì)智能音箱、可穿戴設(shè)備等低功耗產(chǎn)品尤為重要,能顯著延長(zhǎng)續(xù)航時(shí)間。

 

(三)穩(wěn)定可靠性保障

 

集成奇偶校驗(yàn)(Parity Check)功能,可實(shí)時(shí)檢測(cè)數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤并發(fā)出警報(bào),配合耐磨鍍層引腳增強(qiáng)插拔耐久性,使平均無(wú)故障時(shí)間(MTBF)達(dá)到 100 萬(wàn)小時(shí)。在機(jī)頂盒、網(wǎng)絡(luò)攝像頭等長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的設(shè)備中,能有效降低因內(nèi)存故障導(dǎo)致的停機(jī)概率。

 

三、典型應(yīng)用場(chǎng)景

 

(一)消費(fèi)電子設(shè)備

 

在智能電視領(lǐng)域,該芯片可作為系統(tǒng)內(nèi)存支持 4K 視頻解碼與多應(yīng)用后臺(tái)運(yùn)行,2400Mbps 速率配合 8Gb 容量,能流暢處理 HDR 視頻數(shù)據(jù)流,避免畫面卡頓;在家用路由器中,其穩(wěn)定的性能可保障多設(shè)備同時(shí)聯(lián)網(wǎng),減少網(wǎng)絡(luò)延遲,使在線游戲 ping 值降低 10-15ms。

 

(二)物聯(lián)網(wǎng)終端

 

在智能家居控制中心,8Gb 容量足以存儲(chǔ)設(shè)備聯(lián)動(dòng)邏輯與傳感器數(shù)據(jù),1.2V 低功耗特性可適配電池供電模式,延長(zhǎng)設(shè)備更換周期;在智能穿戴設(shè)備中,緊湊的封裝尺寸能滿足小型化設(shè)計(jì)需求,穩(wěn)定的運(yùn)行表現(xiàn)可確保心率監(jiān)測(cè)、運(yùn)動(dòng)數(shù)據(jù)記錄等功能的連續(xù)性。

 

(三)輕量工業(yè)設(shè)備

 

在小型 PLC(可編程邏輯控制器)中,其商業(yè)級(jí)溫度范圍可適應(yīng)車間常溫環(huán)境,8 位位寬能高效處理簡(jiǎn)單控制指令,配合實(shí)時(shí)響應(yīng)機(jī)制,將設(shè)備動(dòng)作延遲控制在 10ms 以內(nèi);在工業(yè)傳感器網(wǎng)關(guān)中,可作為數(shù)據(jù)緩存單元臨時(shí)存儲(chǔ)采集信息,保障數(shù)據(jù)上傳的完整性。

 

海力士 H5ANAG6NDMR-VKC 通過精準(zhǔn)的參數(shù)定位與實(shí)用化的技術(shù)設(shè)計(jì),成為中小容量?jī)?nèi)存需求場(chǎng)景的理想選擇。其在平衡性能、功耗與成本方面的優(yōu)勢(shì),充分體現(xiàn)了 DDR4 芯片在細(xì)分市場(chǎng)中的適配能力,為多樣化電子設(shè)備提供了可靠的內(nèi)存支持。

 

  • 海力士 H5AN8G6NDJR-VKC 詳細(xì)介紹
  • H5AN8G6NDJR-VKC展現(xiàn)出均衡且出色的性能。它擁有 8Gbit 的存儲(chǔ)容量,采用 512M x 16 的組織架構(gòu),這意味著其內(nèi)部包含 512M 個(gè)存儲(chǔ)單元,每個(gè)單元可進(jìn)行 16 位數(shù)據(jù)的并行處理,能夠滿足大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)與快速調(diào)用需求。數(shù)據(jù)傳輸速度達(dá)到 2400Mbps,配合 DDR4 技術(shù)特有的雙數(shù)據(jù)速率模式,在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿和下降沿都能實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸,大幅提升了數(shù)據(jù)吞吐能力,可快速響應(yīng)設(shè)備對(duì)數(shù)據(jù)的讀寫請(qǐng)求。
    2025-09-09 240次
  • 海力士 H5AN8G6NCJR-XNC 選型、賦能、開發(fā)簡(jiǎn)介
  • 存儲(chǔ)容量:H5AN8G6NCJR-XNC 單顆芯片具備 8Gbit 的大容量,采用 512M x 16 的組織形式。對(duì)于一般辦公電腦,該容量足以支撐日常辦公軟件多開及基本多任務(wù)處理,實(shí)現(xiàn)流暢操作體驗(yàn)。但在大數(shù)據(jù)分析平臺(tái)、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與運(yùn)算要求極為嚴(yán)苛的場(chǎng)景中,往往需要多顆芯片并行工作,以搭建起滿足需求的大容量?jī)?nèi)存體系,確保海量數(shù)據(jù)的高效存儲(chǔ)與快速調(diào)用。
    2025-09-09 257次
  • 海力士 H5AN8G6NCJR-WMC 功能特性介紹和選型要點(diǎn)
  • H5AN8G6NCJR-WMC 單顆芯片擁有 8Gbit 的大容量?jī)?nèi)存,采用 512M x 16 的組織形式。這意味著它能夠存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù),對(duì)于數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用場(chǎng)景而言,具有極大優(yōu)勢(shì)。例如在企業(yè)級(jí)服務(wù)器中,需要存儲(chǔ)和快速調(diào)用大量的業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫(kù)文件等,該芯片的高容量特性可有效減少內(nèi)存擴(kuò)展的需求,降低硬件成本和系統(tǒng)復(fù)雜度。
    2025-09-09 176次
  • 海力士 H5AN8G6NCJR-VKC:參數(shù)與應(yīng)用深度解析
  • 在 5G 基站的應(yīng)用中,H5AN8G6NCJR-VKC主要承擔(dān)基帶信號(hào)處理單元(BBU)的臨時(shí)數(shù)據(jù)緩存任務(wù)。在 Massive MIMO 技術(shù)的基站中,每根天線每秒產(chǎn)生的 I/Q 數(shù)據(jù)量高達(dá) 800MB,H5AN8G6NCJR-VKC 的高速帶寬能夠?qū)崟r(shí)緩存 4 個(gè)天線通道的并行數(shù)據(jù),配合 FPGA 完成波束賦形計(jì)算。其支持的 On-Die ECC(片上錯(cuò)誤校驗(yàn))功能,可自動(dòng)修正單比特錯(cuò)誤,在信號(hào)干擾嚴(yán)重的城市密集區(qū),能將數(shù)據(jù)重傳率降低 30% 以上。
    2025-09-09 233次
  • 海力士 H5ANAG6NCJR-WMC:高性能內(nèi)存芯片的獨(dú)特賦能與競(jìng)品優(yōu)勢(shì)剖析
  • H5ANAG6NCJR-WMC 構(gòu)建于成熟且先進(jìn)的 DDR4 SDRAM 技術(shù)之上。DDR4 相較于 DDR3 實(shí)現(xiàn)了多維度的技術(shù)飛躍,其中核心電壓從 1.5V 降至 1.2V,這一關(guān)鍵變化不僅大幅降低了芯片的功耗,對(duì)于依賴電池供電的移動(dòng)設(shè)備而言,顯著延長(zhǎng)了續(xù)航時(shí)間;在大規(guī)模數(shù)據(jù)中心,更是有效降低了能源成本。同時(shí),DDR4 引入的 Bank Group 架構(gòu),將內(nèi)存 bank 巧妙劃分為多個(gè)獨(dú)立組,允許數(shù)據(jù)請(qǐng)求并行處理,使得帶寬提升約 50%,為設(shè)備高效處理復(fù)雜數(shù)據(jù)任務(wù)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。芯片內(nèi)部集成的溫度傳感器與電源管理單元,猶如智能管家,實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)芯片狀態(tài)并動(dòng)態(tài)調(diào)整運(yùn)行參數(shù),確保系統(tǒng)在各種復(fù)雜工作條件下都能穩(wěn)定運(yùn)行,為設(shè)備的持續(xù)高效運(yùn)轉(zhuǎn)提供保障。
    2025-09-08 181次

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