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海力士 H5ANAG6NCJR-XNC:高性能 DDR4 內存芯片詳解
2025-09-05 37次


海力士 H5ANAG6NCJR-XNC 是一款性能卓越的 DDR4 SDRAM 芯片,在內存市場中占據重要地位。以下是對它的詳細介紹:

 

基本參數:

 

容量與位寬:該芯片容量為 16Gb,位寬為 x16,采用 512M×16 的組織形式,能夠在一次數據傳輸中處理 16 位的數據,有效提高了數據傳輸的效率。

 

數據速率:數據速率可達 3200Mbps,能夠為系統(tǒng)提供高速的數據傳輸能力,滿足各種對數據處理速度要求較高的應用場景。

 

封裝與工作電壓:采用 FCBGA 封裝形式,具體為 FBGA-96 封裝,具有良好的電氣性能和散熱性能。工作電壓為 1.2V,屬于低電壓工作模式,有助于降低芯片的功耗和發(fā)熱。

 

工作溫度范圍:商業(yè)級工作溫度范圍為 0°C + 85°C,能夠在大多數常規(guī)環(huán)境下穩(wěn)定工作。

 

技術特點:

 

先進的 DDR4 技術:作為 DDR4 芯片,它采用了雙倍數據率技術,在時鐘信號的上升沿和下降沿都能進行數據傳輸,相比前代 DDR3 技術,數據傳輸速度大幅提升,同時還具備更好的電源效率。

 

同步操作與流水線設計:芯片提供完全同步操作,所有地址和控制輸入在時鐘信號 CK 的上升沿(或下降沿)鎖存,數據、數據選通和寫數據掩碼輸入在其上升沿和下降沿采樣。內部采用流水線數據路徑和 8 位預取設計,以實現非常高的帶寬,確保數據能夠快速、有序地傳輸。

 

低功耗優(yōu)勢:1.2V 的工作電壓使得 H5ANAG6NCJR-XNC 在運行時功耗較低,相比 DDR3 等前代產品,在提供更高性能的同時,能有效減少設備的整體能耗,降低散熱壓力,有利于延長設備的電池續(xù)航時間或減少散熱設備的成本和體積。

 

應用領域:

 

高端計算機:可用于高端臺式機和筆記本電腦,為系統(tǒng)提供快速的內存支持。在運行大型軟件、進行多任務處理或玩高性能游戲時,能夠顯著提升計算機的響應速度和運行效率,減少卡頓現象,為用戶帶來更流暢的使用體驗。

 

服務器領域:服務器在處理大量數據和復雜業(yè)務時,需要大容量、高速度的內存支持。海力士 H5ANAG6NCJR-XNC 能夠滿足服務器的這些需求,支持服務器高效地運行各種應用程序和服務,如數據庫管理、云計算、大數據分析等,確保服務器的穩(wěn)定性和可靠性,提高業(yè)務處理能力和響應時間。

 

工作站與高性能計算:在工作站環(huán)境中,如動畫制作、視頻編輯、科學研究等領域,對數據處理速度和內存容量有較高要求。該芯片能夠為工作站提供強大的內存性能,加速數據處理和渲染過程,提高工作效率。

 

市場競爭力:海力士作為全球知名的半導體制造商,具有先進的芯片制造工藝和嚴格的質量控制體系。

 

H5ANAG6NCJR-XNC 憑借其出色的性能、低功耗和高可靠性,在市場上具有很強的競爭力,被眾多電子設備制造商廣泛采用,成為高性能 DDR4 內存芯片的典型代表之一。

  • 海力士 H5ANAG6NCJR-WMC:高性能內存芯片的獨特賦能與競品優(yōu)勢剖析
  • H5ANAG6NCJR-WMC 構建于成熟且先進的 DDR4 SDRAM 技術之上。DDR4 相較于 DDR3 實現了多維度的技術飛躍,其中核心電壓從 1.5V 降至 1.2V,這一關鍵變化不僅大幅降低了芯片的功耗,對于依賴電池供電的移動設備而言,顯著延長了續(xù)航時間;在大規(guī)模數據中心,更是有效降低了能源成本。同時,DDR4 引入的 Bank Group 架構,將內存 bank 巧妙劃分為多個獨立組,允許數據請求并行處理,使得帶寬提升約 50%,為設備高效處理復雜數據任務奠定了堅實基礎。芯片內部集成的溫度傳感器與電源管理單元,猶如智能管家,實時監(jiān)測芯片狀態(tài)并動態(tài)調整運行參數,確保系統(tǒng)在各種復雜工作條件下都能穩(wěn)定運行,為設備的持續(xù)高效運轉提供保障。
    2025-09-08 14次
  • 海力士 H5ANAG6NCJR-VKC 開發(fā)技術解析
  • H5ANAG6NCJR-VKC 的標準數據傳輸速率高達 3200MT/s。這一高速率意味著每秒可完成 3200 百萬次數據傳輸,在實際應用中帶來了令人矚目的性能提升。當筆記本電腦運行大型設計軟件,如進行 3D 建模、動畫渲染時,素材的加載速度相比低速率芯片提升約 30%,極大地縮短了等待時間,提高了工作效率。在 5G 通信基站中,面對海量用戶并發(fā)的數據請求,該芯片能夠將數據處理延遲控制在毫秒級,保障網絡通信的高效與穩(wěn)定。在智能駕駛系統(tǒng)中,處理激光雷達實時采集的大量環(huán)境數據時,可快速實現實時環(huán)境建模,為車輛的安全行駛提供及時、準確的決策依據。與數據傳輸速率為 2666MT/s 的同類產品相比,其數據吞吐量提升約 20%,為高負載、大數據量處理場景提供了充足的性能冗余
    2025-09-08 15次
  • 海力士H5AN8G8NDJR-XNC:滿足中高端設備的緩存需求
  • H5AN8G8NDJR-XNC 基于 DDR4 SDRAM 技術構建,這一技術相比前代 DDR3 實現了全方位升級。核心電壓從 1.5V 降至 1.2V,在降低功耗的同時提升了能效比,尤其適合移動設備與高密度服務器集群的能源管理。DDR4 架構采用了 Bank Group 設計,將內存 bank 劃分為多個獨立組,可并行處理數據請求,使帶寬提升約 50%。同時,其集成的溫度傳感器與電源管理單元,能實時監(jiān)控芯片狀態(tài)并動態(tài)調整運行參數,進一步增強系統(tǒng)穩(wěn)定性。
    2025-09-08 18次
  • 海力士 H5AN8G8NDJR-WMC :更高的帶寬與數據傳輸速率
  • H5AN8G8NDJR-WMC 隸屬于 DDR4 SDRAM(第四代雙倍數據速率同步動態(tài)隨機存取存儲器)陣營,這一技術是當下內存領域的主流力量。相較于 DDR3,DDR4 實現了多維度的升級。核心電壓從 1.5V 成功降至 1.2V,在大幅降低功耗的同時,保障了性能的穩(wěn)步提升。對于依賴電池供電的移動設備而言,這一變革極大地優(yōu)化了續(xù)航表現;在大規(guī)模數據中心,也顯著降低了服務器的能源成本。DDR4 還采用了更為先進的信號完整性設計,能夠支持更高的帶寬與數據傳輸速率,從容應對現代設備在多任務處理、高清內容渲染等高負載場景下對高頻數據交互的嚴苛需求。
    2025-09-08 17次
  • 海力士 H5AN8G8NDJR-VKC 詳細介紹
  • 海力士 H5AN8G8NDJR-VKC 憑借 DDR4 技術的成熟性、均衡的性能參數與廣泛的環(huán)境適應性,成為橫跨消費電子與工業(yè)領域的通用性內存解決方案,為各類設備的穩(wěn)定運行與性能優(yōu)化提供了堅實的存儲支撐。
    2025-09-08 8次

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