h1_key

當前位置:首頁 >新聞資訊 > 產(chǎn)品資訊>辰達半導體>MDDG10R08G的多元應用,快充 光伏 電機驅(qū)動全覆蓋!
MDDG10R08G的多元應用,快充 光伏 電機驅(qū)動全覆蓋!
2025-07-23 1268次

在電源管理領域,高效、可靠的功率器件是提升系統(tǒng)性能的關鍵。MDD全新PowerTrench系列MOSFET結(jié)合SGT屏蔽柵技術,推出全新N溝道增強型MOSFET系列產(chǎn)品,其中MDDG10R08G采用PDFN5*6-8L封裝,符合RoHS標準,以其卓越的開關性能與低導通電阻,成為同步整流、電機驅(qū)動等應用的理想選擇。

 

 

 

一、核心性能


1. 低導通電阻,高效節(jié)能  


VGS=10V、ID=35A條件下,最大導通電阻(RDS(on))僅為8mΩ(典型值6mΩ),顯著降低導通損耗,提升系統(tǒng)效率。  

支持4.5V低柵極驅(qū)動電壓(Max RDS(on)=11mΩ@30A),適配低壓控制場景。

 

2. 快速開關與低反向恢復電荷  


優(yōu)化動態(tài)性能:開啟延遲時間11ns,關斷延遲時間33ns,適應高頻開關需求。  

超低反向恢復電荷(Qrr=71nC)和軟恢復特性,減少開關噪聲,提升EMC表現(xiàn)。

 

3. 高可靠性設計  


100V耐壓設計,支持75A連續(xù)電流與240A脈沖電流,滿足嚴苛負載條件。  

產(chǎn)品100% 通過UIS(無鉗位電感開關)測試,單脈沖雪崩能量(Eas)達130mJ,確??箾_擊能力。  

工作溫度范圍-55°C+150°C,適應工業(yè)級環(huán)境。


 

 

二、電性曲線圖

 

三、典型應用場景  


1. 快充與電源適配器  


適用于AC/DC同步整流電路,低導通損耗與快速開關特性可顯著提升充電效率,減少發(fā)熱。  

 

2. 電機驅(qū)動與UPS系統(tǒng)  


高電流承載能力與抗雪崩特性,保障電機啟停和突發(fā)負載下的穩(wěn)定運行。  

 

3. 光伏微逆變與電池管理  


低柵極驅(qū)動電壓需求適配太陽能MPPT控制,高效能量轉(zhuǎn)換;在BMS中實現(xiàn)精準充放電管理。  


 


四、選型推薦


 

Part Number

 Type

BVDSS(V)

ID (A)            

VGS (V)

ESD

RDS(ON) (mΩ) VGS=10V

RDS(ON) (mΩ) VGS=4.5V

RDS(ON) (mΩ) VGS=2.5V

VGS(th) (V)

Package

Typ.

Max.

Typ.

Max.

Typ.

Max.

Min.

Max.

MDDG10R08P

N

100

70

±20

N

7

8

8

10

1

2.5

TO-220C-3L

MDDG10R08G

N

100

70

±20

N

7

8

8

10

1

2.5

PDFN5*6-8L

MDDG10R08D

N

100

70

±20

N

7

8

8

10

1

2.5

TO-252

MDDG10R20D

N

100

30

±20

N

13.8

20

17.4

26

1.4

2.5

TO-252

MDDG10R04P

N

100

130

±20

N

3.2

4.4

2

4

TO-220C-3L

 

除了MDDG10xx系列,MDD新推出一系列低壓大電流系列MOS針對不同的應用場景,提供多封裝如Toll、PDFN3*3PDFN5*6、TO-220C-3L、TO-252、TO-263、SOP-8、SOT-26SOT-23等,以滿足各行業(yè)匹配需求。

  • MDD辰達半導體回掃型ESD,為HDMI接口提供安全防護
  • MDD的保護器件有以下功能:MDD的防護器件能有效防護后端IC,有效應對靜電和熱插拔等異常干擾。MDD既提供了傳統(tǒng)的集成多IO ESD和單獨IO的分立ESD,也有專門的回掃型ESD器件,保護高端而敏感的低線寬、高集成的IC。MDD作為器件原廠,已通過ISO/TS16949體系認證,產(chǎn)品管控嚴格,保證產(chǎn)品的一致性,穩(wěn)定性。
    2026-03-16 8次
  • 散熱設計不良會導致 MOSFET 過熱失效?MDD辰達半導體一文講透
  • 在電源、BMS、車載電子、電機驅(qū)動等應用中,MDD辰達半導體的 MOSFET 常年工作在大電流、高頻、高環(huán)境溫度條件下。很多現(xiàn)場失效案例中,MOSFET 本身參數(shù)選型并不低,但仍然頻繁燒毀,最終溯源發(fā)現(xiàn),根本原因并非器件質(zhì)量,而是散熱設計不良。
    2026-02-04 486次
  • MDD辰達半導體推出低內(nèi)阻、強抗浪涌MOSFET,電池管理系統(tǒng)BMS中的關鍵元器件
  • 在儲能BMS中,充放電控制和主動均衡是兩大關鍵電路,都離不開高性能的MOSFET。MDD辰達半導體推出的MDDG03R04Q與MDDG04R06Q兩款N溝道MOSFET, 采用先進的 SGT工藝,輕松應對BMS中的會遇到的挑戰(zhàn)。
    2025-12-10 1036次
  • MDD辰達半導體防護器件,全方位防護USB充電口浪涌靜
  • 隨著USB快充的發(fā)展,支持的產(chǎn)品種類也越來越多,比如手機、筆記本電腦、平板、電動工具、各種消費類產(chǎn)品乃至小型家電等高能耗設備。然而,隨著功率的提升,充電口面臨的浪涌和靜電威脅也越來越嚴重,對產(chǎn)品可靠性提出了更高的防護要求
    2025-11-13 163次
  • MDDG10R08G的多元應用,快充 光伏 電機驅(qū)動全覆蓋!
  • 在電源管理領域,高效、可靠的功率器件是提升系統(tǒng)性能的關鍵。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,結(jié)合SGT屏蔽柵技術,推出全新N溝道增強型MOSFET系列產(chǎn)品,其中MDDG10R08G采用PDFN5*6-8L封裝,符合RoHS標準,以其卓越的開關性能與低導通電阻,成為同步整流、電機驅(qū)動等應用的理想選擇。
    2025-07-23 1268次

    萬聯(lián)芯微信公眾號

    元器件現(xiàn)貨+BOM配單+PCBA制造平臺
    關注公眾號,優(yōu)惠活動早知道!
    10s
    溫馨提示:
    訂單商品問題請移至我的售后服務提交售后申請,其他需投訴問題可移至我的投訴提交,我們將在第一時間給您答復
    返回頂部