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安世半導(dǎo)體交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)分析MOSFET
2023-05-11 656次


基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia安世半導(dǎo)體近日宣布推出與功率 MOSFET 配套使用的新一代交互式數(shù)據(jù)手冊(cè),大幅提升了對(duì)半導(dǎo)體工程師的設(shè)計(jì)支持標(biāo)準(zhǔn)。通過(guò)操作數(shù)據(jù)手冊(cè)中的交互式滑塊,用戶可以手動(dòng)調(diào)整其電路應(yīng)用的電壓、電流、溫度和其他條件,并觀察器件的工作點(diǎn)如何動(dòng)態(tài)響應(yīng)這些變化。

 

  這些交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)使用 Nexperia 安世半導(dǎo)體的高級(jí)電熱模型計(jì)算器件的工作點(diǎn),可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶界面。此外,工程師借助這些交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)可以即時(shí)查看柵極電壓、漏極電流、 RDS(on) 和溫度等參數(shù)之間的相互作用。然后將以表格或圖形的形式動(dòng)態(tài)顯示這些參數(shù)對(duì)器件行為的綜合影響。因此, Nexperia 安世半導(dǎo)體的交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)可以減少工程師執(zhí)行手動(dòng)計(jì)算或設(shè)置和調(diào)試電路仿真所需的時(shí)間,從而顯著提高生產(chǎn)力。

  當(dāng)設(shè)計(jì)工程師想要為某個(gè)應(yīng)用選擇器件時(shí),他們首先會(huì)想到查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)。然而,數(shù)據(jù)手冊(cè)中包含了大量信息,包括數(shù)十個(gè)器件參數(shù)的最小、最大和典型規(guī)格,通常難以確定這些參數(shù)之間的關(guān)系。因此,工程師必須進(jìn)行耗時(shí)的手動(dòng)計(jì)算或使用制造商提供的模型(假設(shè)這些模型可用)建立電路仿真器,以全面了解器件行為。即便如此,許多制造商的仿真模型也不會(huì)顯示溫度變化對(duì)器件行為的影響。在 Nexperia安世半導(dǎo)體推出的新型交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)中,通過(guò)簡(jiǎn)單易用的數(shù)據(jù)手冊(cè)滑塊,工程師可以手動(dòng)更改參數(shù)來(lái)顯示不同參數(shù)的實(shí)時(shí)交互。

  Nexperia安世半導(dǎo)體功率 MOSFET 業(yè)務(wù)部高級(jí)總監(jiān) Chris Boyce 表示:

  我們新推出的交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)適用范圍非常廣,無(wú)論是希望了解器件高溫性能的設(shè)計(jì)工程師,還是想要在不同的測(cè)試條件下對(duì)器件進(jìn)行比較的元件工程師,都能幫助他們更輕松地完成工作。

  這些數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)原理與 Nexperia安世半導(dǎo)體獲得巨大成功的精密電熱 MOSFET 模型中使用的技術(shù)相同,可以充分展示分立 MOSFET 的行為如何隨溫度變化。新型交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)除了具備傳統(tǒng)靜態(tài)數(shù)據(jù)手冊(cè)功能,還可在任何標(biāo)準(zhǔn)網(wǎng)頁(yè)瀏覽器中運(yùn)行,不需要額外的器件仿真軟件。

  目前,交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)初始版本正在申請(qǐng)專利, Nexperia安世半導(dǎo)體將聯(lián)系全球客戶工程師社區(qū),評(píng)估交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)的實(shí)時(shí)使用情況,以擴(kuò)展未來(lái)版本的功能。

  目前已有200多個(gè)交互式數(shù)據(jù)手冊(cè),涵蓋了 Nexperia最新一代汽車和工業(yè)功率 MOSFET 中的器件。Nexperia安世半導(dǎo)體計(jì)劃將陸續(xù)推出完整的分立 MOSFET 產(chǎn)品組合和其他器件的交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)。

 

  • 安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
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    2023-10-20 597次
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    2023-09-22 817次
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    2023-06-15 578次

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