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安世Nexperia安全氣囊的汽車ASFETs斬獲年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器大獎(jiǎng)!
2023-02-23 804次


安世Nexperia安全氣囊的汽車ASFETs斬獲年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器大獎(jiǎng)!


  由AspenCore主辦的2022國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)(IIC)已于11月10日 - 11日在深圳順利舉辦。在大會(huì)同期舉辦的2022全球電子成就獎(jiǎng)(World Electronics Achievement Awards, WEAA)評(píng)選中,Nexperia(安世半導(dǎo)體)的適用于安全氣囊的汽車ASFETs斬獲年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器大獎(jiǎng)(Power Semiconductor / Driver of the year)。Nexperia(安世半導(dǎo)體)MOSFET 業(yè)務(wù)集團(tuán)大中華區(qū)總監(jiān)李東岳代表安世半導(dǎo)體領(lǐng)獎(jiǎng)。

  獎(jiǎng)項(xiàng)介紹

安世Nexperia安全氣囊的汽車ASFETs斬獲年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器大獎(jiǎng)!

  全球電子成就獎(jiǎng) (World Electronics Achievement Awards) 旨在評(píng)選并表彰對(duì)推動(dòng)全球電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新做出杰出貢獻(xiàn)的企業(yè)和管理者,對(duì)獲獎(jiǎng)公司以及個(gè)人來(lái)說(shuō),全球電子成就獎(jiǎng)的獲得是一項(xiàng)崇高的榮譽(yù),是躋身全球電子行業(yè)頂級(jí)品牌企業(yè)圈強(qiáng)有力的“背書”,是與其他品牌企業(yè)達(dá)成合作的支持力量。各類獎(jiǎng)項(xiàng)獲得提名的企業(yè)、管理者及產(chǎn)品均為行業(yè)領(lǐng)先者,充分體現(xiàn)了其在業(yè)界的領(lǐng)先地位與不凡表現(xiàn)。

  獲獎(jiǎng)產(chǎn)品


安世Nexperia安全氣囊的汽車ASFETs斬獲年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器大獎(jiǎng)!

  Nexperia(安世半導(dǎo)體)于2022年5月推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應(yīng)用的專用 MOSFET (ASFET) 新產(chǎn)品組合,采用了新型增強(qiáng)安全工作區(qū) (SOA) 技術(shù)。該技術(shù)專為提供出色的瞬態(tài)線性模式性能(安全氣囊應(yīng)用中的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo))而量身定制。

  與傳統(tǒng) DPAK 封裝相比,ASFETs 產(chǎn)品組合結(jié)合了最新的硅溝槽技術(shù)和 LFPAK 封裝,使其能夠滿足最新的可靠性標(biāo)準(zhǔn)并額外節(jié)省了空間( LFPAK56 為 53%,LFPAK33 可達(dá) 84%)。

  在挑選 MOSFET 來(lái)調(diào)節(jié)安全氣囊系統(tǒng)中引爆管的電源電壓時(shí),歷來(lái)僅有較為陳舊的硅技術(shù)可供選擇,例如傳統(tǒng)的焊線 DPAK 封裝。這是因?yàn)樵诰€性模式下操作時(shí),具有更寬單元間距的溝槽技術(shù)的安全操作區(qū)域(SOA)更大。MOSFET 必須能夠處理與系統(tǒng)中引爆管數(shù)量成正比的電流,同時(shí)調(diào)節(jié)其電源電壓足夠長(zhǎng)的時(shí)間以激活安全氣囊。


安世Nexperia安全氣囊的汽車ASFETs斬獲年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器大獎(jiǎng)!


安世Nexperia安全氣囊的汽車ASFETs斬獲年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器大獎(jiǎng)!

  Nexperia(安世半導(dǎo)體)設(shè)計(jì)了一系列專用 MOSFETs (ASFETs) 來(lái)滿足安全氣囊應(yīng)用的特殊需求,專注于增強(qiáng) SOA 性能以改進(jìn)線性模式。

  Nexperia 的高級(jí)產(chǎn)品營(yíng)銷經(jīng)理 Norman Stapelberg 表示:

  其他同類產(chǎn)品使用的是舊 DPAK 封裝,通?;?DMOS 和第一代 Trench 技術(shù),而這些技術(shù)正逐漸被許多晶圓制造商淘汰。此 ASFET 產(chǎn)品組合搭配使用最新的晶圓 Trench 技術(shù)和 LFPAK 封裝,可滿足最新的可靠性標(biāo)準(zhǔn)。借助最新的制造和封裝技術(shù),Nexperia(安世半導(dǎo)體)提高了供應(yīng)鏈的可持續(xù)性,并能夠更好地滿足此類產(chǎn)品持續(xù)增長(zhǎng)市場(chǎng)的需求。

  該產(chǎn)品主要面向的應(yīng)用市場(chǎng)為12V汽車系統(tǒng)與安全氣囊爆管電壓調(diào)節(jié)器MOSFETs。

  • 安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
  • Nexperia(安世半導(dǎo)體)的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗, 兼顧馬達(dá)驅(qū)動(dòng)需求的高溫短路耐受能力,實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。
    2023-10-20 598次
  • Nexperia安世半導(dǎo)體2035年碳中和目標(biāo)
  • Nexperia致力于到2035年在其直接運(yùn)營(yíng)排放(范圍1)和為運(yùn)營(yíng)采購(gòu)能源而產(chǎn)生的間接排放(范圍2)方面實(shí)現(xiàn)碳中和。這一變革性承諾需要借助可靠的來(lái)源向100%可再生能源過(guò)渡,為全球所有的公司運(yùn)營(yíng)和工廠提供電力。Nexperia全面的可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃不僅致力于減少范圍1和范圍2的排放,而且最終將力求未來(lái)消除范圍3的排放,范圍3的排放代表公司全球價(jià)值鏈產(chǎn)生的間接排放。
    2023-09-22 819次
  • 碳化硅二極管優(yōu)于硅二極管的8大原因
  • SiC的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)比硅基器件高出約10倍,且在給定的截止電壓下,SiC的漂移層比硅基器件更薄且摻雜濃度更高,因此SiC的電阻率更低,傳導(dǎo)性能也更好。這意味著,在額定電壓相同的情況下,SiC芯片比其等效的硅芯片更小。
    2023-08-02 682次
  • 安世半導(dǎo)體IGBTs高功率帶來(lái)更多選擇
  • 絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)面市已有些時(shí)日,事實(shí)上,通用電氣(GE)早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時(shí)起,IGBT成為了中壓和高壓(>200 V )應(yīng)用的主要器件,包括供暖通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)(HVAC)系統(tǒng)以及電焊和感應(yīng)加熱等高電流應(yīng)用。隨著太陽(yáng)能面板、電動(dòng)汽車充電器和工業(yè)伺服電機(jī)的日益普及,市場(chǎng)對(duì)高壓解決方案的需求也在不斷攀升。為了滿足各個(gè)行業(yè)的需求,并進(jìn)一步完善持續(xù)擴(kuò)大的高壓技術(shù)產(chǎn)品組合(GaN和SiC),Nexperia (安世半導(dǎo)體)正在推出多個(gè) IGBT系列,首先便是600 V 器件。
    2023-07-21 572次
  • 為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣
  • 在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)的許多方面都優(yōu)于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開(kāi)關(guān)性能。但是,與硅快速恢復(fù)二極管相比,純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia(安世半導(dǎo)體)如何將先進(jìn)的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起,以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。
    2023-06-15 579次

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