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  極致低功耗，英飛凌 pick RRAM

  臺積電28納米eFlash技術(shù)的Autrix TC4x系列微控制器，英飛凌表示將在2023年底之前提供MCU樣品。而下一代Aurix微控制器將使用嵌入式非易失性存儲器，特別是電阻式隨機(jī)存取存儲器(RRAM)，而不是嵌入式閃存(eFlash)，并將在臺積電的28納米節(jié)點(diǎn)上制造。

  自從推出第一批嵌入式閃存微控制器發(fā)動機(jī)管理系統(tǒng)以來，就被用作汽車中的ECU,在市場上大多數(shù)MCU系列都基于eFlash技術(shù)，改技術(shù)一直努力遷移到28納米以下，并且也被認(rèn)為效率低于RRAM。目前，市場上大多數(shù)MCU系列都基于嵌入式閃存技術(shù)(eFlash)技術(shù)。

  RRAM存在多變體，通常標(biāo)準(zhǔn) CMOS 邏輯上沉積過渡金屬氧化物 (TMO) 層。而每個公司的配料方和分層結(jié)構(gòu)都是獨(dú)一無二，但通常RRAM是基于金屬離子和氧空位在電壓下的遷移，去建立和斷開儲存單元中的絲狀傳導(dǎo)路徑。而臺積電提供帶有RRAM 的 Aurix 微控制器將提供更高的抗擾度，并允許按位寫入而無需擦除，從而實(shí)現(xiàn)優(yōu)于嵌入式閃存的性能。英飛凌表示，循環(huán)耐力和數(shù)據(jù)保留與閃存相當(dāng)。

  英飛凌認(rèn)為，與臺積電的合作成功奠定了RRAM在汽車領(lǐng)域的基礎(chǔ)，并使其Autrix系列微控制器具有更廣泛的供應(yīng)基礎(chǔ)。

  基于臺積電RRAM技術(shù)的AURIX TC4x通過提高ASIL-D性能、人工智能功能和最新的網(wǎng)絡(luò)接口(包括10Base T1S以太網(wǎng)和CAN-XL)進(jìn)一步擴(kuò)大了這一成功。