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  英飛凌IGBT單管以發(fā)布時(shí)間(2013年3月)為界，分為兩套系統(tǒng)。

  一.對(duì)于2013年3月前發(fā)布的器件，命名規(guī)則如下圖所示，主要信息包括：

  1.料號(hào)：

  Grp1:品牌

  Grp2:Devicetype-芯片類型(是否有續(xù)流二極管)

  Grp3:Packgae-封裝形式

  Grp4:Nominalcurrent-標(biāo)稱電流

  Grp5:Techclass-技術(shù)類型(N-channel-N通道.TRENCHSTOPTM--新微通道技術(shù))

  Grp6:Nominal-系列

  Grp7:Specification-電壓等級(jí)

  Grp8:芯片類型.是否為汽車級(jí)芯片

  2.激光打標(biāo)格式：

  單管塑封上會(huì)有激光標(biāo)記，可以說(shuō)是材料編號(hào)“昵稱“或“印字”-用較少的字母來(lái)表達(dá)豐富的特征。IHW20N120R這個(gè)裝置，它封裝上的標(biāo)志是H20R1203，每個(gè)數(shù)字的意義和命名規(guī)則都是一樣的，如下圖所示：

  Grp2:Devicetype-芯片類型(是否有續(xù)流二極管)

  Grp4:Nominalcurrent-標(biāo)稱電流

  Grp6:Nominal-系列

  Grp7:Specification-電壓等級(jí)

  二.設(shè)備命名規(guī)則于2013年3月后發(fā)布：

  1.料號(hào)：

  Grp1:品牌OPTIMIZATION

  Grp2:Devicetype-芯片類型(是否有續(xù)流二極管)

  Grp3:Packgae-封裝形式：封裝形式從6種擴(kuò)展到11種，包括：TO247-4pin，TO247plus-3pin/4pin，高級(jí)絕緣的TO2473pin，以及使用燒結(jié)技術(shù)TO2633pin。由于新封裝形式層出不窮，說(shuō)明封裝的第三位將繼續(xù)擴(kuò)大，不斷創(chuàng)新。

  Grp4:Nominalcurrent-標(biāo)稱電流

  Grp5:Techclass-技術(shù)類型(N-channel-N通道.TRENCHSTOPTM--新微通道技術(shù))

  Grp6:Nominal-系列

  Grp7:Diode-二極管類型:反并聯(lián)二極管類型(EmCon,rapid1,rapid2)、電流水平是否和IGBT相同，如果相同，則標(biāo)為fullrated。

  Grp8:OPTIMIZATION-代表著IGBT類型，可以在這套命名規(guī)則中看到IGBT與上一代相比，芯片類型很多，從TRENCHSTOP?2到最新的TRENCHSTOP?7一應(yīng)俱全。

  Grp絕緣方案：高級(jí)絕緣方案：TO2473pin最后一個(gè)商品可能有一個(gè)字母E，這個(gè)字母E代表了最具成本效益的高級(jí)絕緣方案。如果省略，則默認(rèn)為性能最好的高級(jí)絕緣方案。

  2.激光打標(biāo)格式：規(guī)則和上一代也有很大的變化，值得注意的是兩點(diǎn)：

  1.電壓等級(jí)(第三位數(shù))不再給出數(shù)字，而是用字母代替。字母和電壓的對(duì)應(yīng)規(guī)則如表1所示。你說(shuō)看起來(lái)沒(méi)有規(guī)則?是的，是時(shí)候測(cè)試你的記憶了。

  2.二極管信息(是否為全電流二極管)在激光打標(biāo)第四位以上給出，其規(guī)則與上圖中材料編號(hào)的命名規(guī)則相同group7。