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  DFB芯片的技術發(fā)展趨勢

  國內(nèi)的DFB激光器芯片相關專利呈現(xiàn)一種短期內(nèi)的爆發(fā)狀態(tài)，基本在2017年出現(xiàn)各種芯片相關專利，于2019-2020年達到專利申請的高峰期。這與當時的國際形勢有緊密的聯(lián)系，從漂亮國的制裁力度來看，2017年出現(xiàn)國際芯片進出口的限制，2019年剛好迎來芯片制裁的第一波高峰期，限制的力度和國內(nèi)的專利申請量呈現(xiàn)正比的關系，基本表明了我國企業(yè)在芯片的制造技術上儲備充足。在這段時間，光芯片的技術專利還集中在芯片制造技術上，主要包括光芯片的刻蝕，切割與外延生長上。

  2021-2022年，芯片專利出現(xiàn)數(shù)量減少，從該種技術的發(fā)展趨勢上，這一點是不符合常規(guī)的，DFB激光器芯片的市場依然廣闊，出現(xiàn)該種數(shù)量減少，更多的原因在于原材料和設備的供應鏈出現(xiàn)問題，當然也包括部分技術已基本成熟。此時的光芯片技術轉向了一些高性能低成本的制備技術，以及一些新的芯片應用出現(xiàn)。

  DFB激光器芯片

  光芯片是光通信行業(yè)的核心基礎元件，并且一直處于光通信產(chǎn)業(yè)鏈的頂端位置，不僅僅在技術上是行業(yè)產(chǎn)品的最難技術點，在成本上也占據(jù)了光通信產(chǎn)品的40%-50%。從漂亮國對國內(nèi)的芯片限制來說，也不難看出光芯片在國內(nèi)通信行業(yè)內(nèi)的重要地位，除了對行業(yè)龍頭華為無底線的制裁外，美國還針對芯片本身的進出口，材料供給和芯片設計軟件三方面做出嚴厲限制。

  本文主要局限于對有源的激光器芯片和探測器芯片的專利發(fā)布狀況進行分析，希望借此能夠獲得行業(yè)大佬對于本公眾號的長期關注，并希望能夠拋磚引玉，獲得前輩們的指導。

DFB激光器芯片具有極好的單縱模特性，單片集成后可以用在中距離傳輸?shù)腄R/FR/CWDM光模塊之中，在電信市場上可以用于光纖接入的PON光模塊和無線接入的前傳光模塊DFB激光器中。DFB激光器的芯片的關鍵工藝在于光柵的制備和二次外延生長，目前成熟的外延制備工藝主要有金屬化學氣相沉積法(MOCVD)和分子束外延(MBE)技術。