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硅光芯片突破摩爾極限高集成度、低成本
2022-11-07 807次

  什么是硅光和硅光芯片

  硅光是以光子和電子為信息載體的硅基光電子大規(guī)模集成技術(shù),能夠大大提高集成芯片的性能,是大數(shù)據(jù)、人工智能、未來移動(dòng)通信等新興產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)性支撐技術(shù),可廣泛應(yīng)用于大數(shù)據(jù)中心、5G、物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)。硅光芯片是通過標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝將硅光材料和器件集成在一起的集成光路,主要由調(diào)制器、探測器、無源波導(dǎo)器件等組成,它可以將多種光器件集成在同一硅基襯底上。

  簡單的說這種采用微電子和光電子取長補(bǔ)短相融合的硅基光電子技術(shù),能在原來的硅芯片上,讓微電子與光電子同時(shí)工作,彼此優(yōu)勢互補(bǔ),使其性能得到大幅提升。打個(gè)比方如果將融合了光電子和微電子的硅光芯片看成是一個(gè)聯(lián)合進(jìn)行信息作戰(zhàn)的兵團(tuán),那么,在它納米量級的戰(zhàn)場空間上,光子、電子以及光電子器件等士兵進(jìn)行協(xié)同作戰(zhàn),在高速、驅(qū)動(dòng)放大、讀出等友軍的積極配合下,高精尖的光電耦合封裝技術(shù)就會讓其形成功能模塊集成。

  

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  硅光芯片的優(yōu)勢

  集成強(qiáng),整合易。硅基光電子技術(shù)利用大規(guī)模半導(dǎo)體制造工藝這一平臺,可在絕緣體薄膜硅片上,集成信息吞吐所需的各種光子、電子、光電子器件,包括光源、光波導(dǎo)、調(diào)制器、探測器和晶體管集成電路等,從而在一個(gè)小小的芯片上實(shí)現(xiàn)光電子技術(shù)和微電子技術(shù)的高效整合。在量子通信、數(shù)據(jù)中心、智能駕駛、消費(fèi)電子等對尺寸更加敏感的領(lǐng)域,有很大的應(yīng)用空間,將會顛覆性改變?nèi)藗兾磥砩罘绞健?/font>

  帶寬大,速度快。在大數(shù)據(jù)時(shí)代,數(shù)據(jù)中心內(nèi)的流量爆炸式增長,傳統(tǒng)銅電路傳輸顯得捉襟見肘。硅基光電子技術(shù)用光通路取代芯片間的數(shù)據(jù)電路,光模塊的大帶寬,不僅可降低能耗和發(fā)熱,還能實(shí)現(xiàn)大容量光互連,有效解決網(wǎng)絡(luò)擁堵和延遲等問題。同時(shí),用激光束代替電子信號傳輸數(shù)據(jù),可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)高速率傳輸。用戶與數(shù)據(jù)中心之間、芯片與芯片之間、計(jì)算機(jī)設(shè)備之間以及長距離通信系統(tǒng)的信息發(fā)送和接收,都將因此變得快速、穩(wěn)定。

  能耗少,成本低。得益于硅基材料高折射率、高光學(xué)限制能力的天然優(yōu)勢,可將光波導(dǎo)寬度和彎曲半徑分別縮減至約0.4微米和2微米,使其集成密度相對更高。密度增高帶來的是芯片尺寸的縮減,這勢必會帶來低成本、低功耗、小型化等獨(dú)特優(yōu)勢。

  

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  我國硅光產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

  由于我國進(jìn)入硅光領(lǐng)域較晚,目前主要通過并購或者與外企合作的模式切入,正處于追趕者的地位。我國目前在硅光領(lǐng)域開展布局的企業(yè)主要有華為、光迅科技、亨通光電、博創(chuàng)科技等。一直以來,我國硅光發(fā)展與發(fā)達(dá)國家仍存在差距。在設(shè)計(jì)、制備、封裝、測試等方面,存在架構(gòu)不夠完善、硅光芯片大部分需要國外代工、硅光器件之間的耦合以及大密度集成等等問題。

  

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  但是國家層面,支持硅光技術(shù)的利好政策紛至沓來,各地政府也紛紛入局。上海市明確提出發(fā)展光子芯片與器件,重點(diǎn)突破硅光子、光通訊器件、光子芯片等新一代光子器件的研發(fā)與應(yīng)用,對光子器件模塊化技術(shù)、基于CMOS的硅光子工藝、芯片集成化技術(shù)、光電集成模塊封裝技術(shù)等方面的研究開展重點(diǎn)攻關(guān)。湖北省、重慶市、蘇州市等政府都把硅光芯片作為十四五期間的重點(diǎn)發(fā)展產(chǎn)業(yè)。

  結(jié)語

  硅光芯片作為新型科技,方興未艾。其發(fā)展很有可能徹底撼動(dòng)芯片界。我國對于硅光芯片的研究也在不斷取得進(jìn)步。讓我們拭目以待,來看看這小小芯片中所蘊(yùn)涵的巨大能量。

 

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