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瑞薩電子RH850系列32位汽車(chē)MCU
2022-11-02 7021次

　　瑞薩電子RH850系列32位汽車(chē)MCU采用瑞薩40nm工藝生產(chǎn)，可提供單核、多核、鎖步和混合模式的處理器內(nèi)核架構(gòu)，以支持汽車(chē)應(yīng)用的高性能、低功耗和高可靠性要求。


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　　RH850系列MCU具有如下功能特性：

　　1. 可擴(kuò)展的 CPU 內(nèi)核、內(nèi)存和外設(shè)，可重復(fù)使用軟件資源。集成外設(shè)功能 IP 和可擴(kuò)展性;基本IP的通用規(guī)范(串口、計(jì)數(shù)器等)已經(jīng)在現(xiàn)有規(guī)范的基礎(chǔ)上進(jìn)行了細(xì)化，未來(lái)將繼續(xù)保持兼容性;差異化IP(發(fā)動(dòng)機(jī)控制、電機(jī)控制定時(shí)器等)的規(guī)格進(jìn)一步優(yōu)化以幫助提高客戶(hù)產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力;支持PWM、LVD、CAN、LIN和FlexRay等。

　　2. 高性能CPU內(nèi)核可大大提高頻繁使用的中斷處理的響應(yīng)性能。多個(gè)寄存器的批量保存/恢復(fù);立即停止當(dāng)前正在運(yùn)行的程序;立即從中斷處理中恢復(fù);分支預(yù)測(cè)機(jī)制;使用學(xué)習(xí)函數(shù)預(yù)測(cè)程序的流程;高速閃存訪(fǎng)問(wèn);瞬間讀取并運(yùn)行下一個(gè)程序。

　　3. 低功耗特性有助于降低汽車(chē)的整體功耗。降低運(yùn)行功率;使用 40 納米工藝可實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的電路并降低運(yùn)行功耗;降低泄漏功率;使用低泄漏晶體管降低泄漏功率;降低待機(jī)功耗;切斷待機(jī)期間空閑電路的電源，以進(jìn)一步降低功耗。

　　4. 使用多核技術(shù)實(shí)現(xiàn)低功耗和高性能。可以組合執(zhí)行功能安全、高速計(jì)算和輸入/輸出處理的內(nèi)核，以實(shí)現(xiàn)高性能內(nèi)核配置。

　　5. 支持符合 ISO26262 標(biāo)準(zhǔn)的功能安全性，如下圖：

　　RH850系列軟件和工具

　　瑞薩電子及其合作伙伴提供各種軟件和開(kāi)發(fā)工具，為汽車(chē)市場(chǎng)的大規(guī)模復(fù)雜軟件開(kāi)發(fā)提供支持。

 

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