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9月7日消息，據(jù)快科技消息，武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)成為蘋(píng)果供應(yīng)商，為iPhone14供NAND閃存

長(zhǎng)江存儲(chǔ)是專(zhuān)注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路廠(chǎng)商，提供完整的存儲(chǔ)器解決方案。長(zhǎng)江存儲(chǔ)近期發(fā)布了基于Xtacking3.0技術(shù)的第四代3D TLC閃存X3-9070，堆疊層數(shù)達(dá)232層，比肩韓國(guó)SK海力士、美光科技等存儲(chǔ)器國(guó)際一線(xiàn)大廠(chǎng)。在NAND Flash芯片技術(shù)上,只要堆疊的層數(shù)越多,容量就會(huì)越高。

  在今年3月，業(yè)內(nèi)就有傳言稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已正式進(jìn)入蘋(píng)果iPhone的NANDFlash供應(yīng)鏈。當(dāng)時(shí)有消息稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)進(jìn)入蘋(píng)果剛剛發(fā)布的iPhoneSE3供應(yīng)鏈。

  長(zhǎng)江存儲(chǔ)已進(jìn)入蘋(píng)果最新一代iPhone14的NANDFlash供應(yīng)鏈，進(jìn)一步凸顯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的NANDFlash產(chǎn)品已達(dá)到全球一線(xiàn)廠(chǎng)商的水平。

  此前，蘋(píng)果iPhone的NANDFlash供應(yīng)商主要是SK海力士、凱霞和三星。分析人士認(rèn)為，蘋(píng)果與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作的目的是通過(guò)供應(yīng)商多樣化降低NAND閃存的價(jià)格。此外，蘋(píng)果還需要向中國(guó)政府展示友好的態(tài)度，以促進(jìn)其產(chǎn)品在中國(guó)市場(chǎng)的銷(xiāo)售。

  據(jù)福布斯報(bào)道，截至2021年，已有51家中國(guó)公司向蘋(píng)果提供零部件。中國(guó)大陸取代臺(tái)灣，成為蘋(píng)果最大的供應(yīng)商。

  數(shù)據(jù)顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立于2016年7月，由紫光集團(tuán)、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科技投資在武漢新核心的基礎(chǔ)上成立。據(jù)統(tǒng)計(jì)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)總投資約1600億元。

  2016年12月，以長(zhǎng)江存儲(chǔ)為主體的國(guó)家存儲(chǔ)基地正式開(kāi)工建設(shè)，包括世界上最大的3DNANDFlashFAB廠(chǎng)房、1棟總部研發(fā)樓等配套建筑。預(yù)計(jì)項(xiàng)目建成后總產(chǎn)能將達(dá)到30萬(wàn)件/月，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元。

  依托武漢新芯現(xiàn)有的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)的研發(fā)和制造能力，長(zhǎng)江存儲(chǔ)于2017年成功開(kāi)發(fā)了中國(guó)第一個(gè)3DNAND閃存芯片。隨著2018年長(zhǎng)江存儲(chǔ)的32層NANDFlash的大規(guī)模生產(chǎn)，國(guó)內(nèi)閃存芯片終于取得了重大突破。然而，由于該技術(shù)與國(guó)際主流技術(shù)巨大差異，它在市場(chǎng)上并沒(méi)有取得成功。

  2019年9月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布，成功量產(chǎn)基于自主研發(fā)的Xtacking架構(gòu)的64層256Gbtlc3DNANDFlash。據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)介紹，該閃存滿(mǎn)足了固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用的需求。與目前行業(yè)上市的64/72層3DNAND閃存相比，其存儲(chǔ)密度更高。

  隨后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層256GbTLC3DNAND閃存也成功進(jìn)入了華為Mate40系列供應(yīng)鏈。

  為了進(jìn)一步縮短與三星、SK海力士、鎧俠等公司的差距，長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過(guò)96層，直接開(kāi)發(fā)了128層3DNANDFlash。

  2020年4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC3DNAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功，并已通過(guò)多家控制器制造商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品的驗(yàn)證。

  據(jù)介紹，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存，擁有業(yè)內(nèi)已知產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度、最高I/O傳輸速度和最高單個(gè)NAND閃存芯片容量。同時(shí)發(fā)布了128層512Gbtlc(3bit/cell)閃存芯片(型號(hào):X2-9060)和512GB(64GB)，以滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

  2020年8月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出了自有存儲(chǔ)品牌致鈦，隨后推出了一系列自有品牌SSD產(chǎn)品，并在市場(chǎng)上取得了不錯(cuò)的成績(jī)。

  去年10月，國(guó)外權(quán)威研究機(jī)構(gòu)Techinsights江存儲(chǔ)的128層TLC3D閃存被拆解為芯片級(jí)，發(fā)現(xiàn)其存儲(chǔ)密度已達(dá)到行業(yè)最高的8.4Gb/m，遠(yuǎn)高于三星海力士等一線(xiàn)NAND廠(chǎng)商。

  今年8月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司在2022年閃存峰會(huì)(FMS)上宣布，正晶棧ckin(XXagg3.0)第四代TLCD閃存X3-9070。消息顯示，3DNAND閃存堆疊層已達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先的232層。

  雖然長(zhǎng)江存儲(chǔ)在存儲(chǔ)技術(shù)上正在迅速趕上國(guó)際一線(xiàn)廠(chǎng)商，差距也在縮小，但不可否認(rèn)的是，目前還存在差距，尤其是產(chǎn)能差距。要知道，目前只有三星家族的NANDFlash產(chǎn)能已經(jīng)達(dá)到了50萬(wàn)月左右。

  隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)的NANDFlash成功進(jìn)入iPhone14供應(yīng)鏈，必將進(jìn)一步幫助長(zhǎng)江存儲(chǔ)追趕三星、SK海力士、鎧俠等龍頭廠(chǎng)商。