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一、LM358DR介紹
廠商型號：LM358DR
品牌名稱：TI(德州儀器)
元件類別：運算放大器
封裝規(guī)格：SOIC-8
數(shù)據(jù)手冊：
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二、LM358DR概述
特性描述：
1. 絕對最大額定參數(shù)
絕對最大額定值是不應(yīng)該超過的值，因為這樣做可能會導(dǎo)致特性惡化或部件損壞本身以及外圍組件。
1.1供電電壓(Vcc/GND)
表示正負電源端子之間在不引起劣化的情況下所能提供的最大電壓內(nèi)部電路的特性或破壞。
1.2差分輸入電壓(VID)
表示在不損壞集成電路的情況下，在非反相端子和反相端子之間所能提供的最大電壓。
1.3輸入共模電壓范圍(VICR)
表示在不造成電氣特性惡化的情況下，可以提供給非反相和反相端子的最大電壓或損壞集成電路本身。在最大額定值的輸入共模電壓范圍內(nèi)不保證正常工作-在輸入范圍內(nèi)使用共模電壓范圍代替電特性。
1.4工作溫度范圍和儲存溫度范圍(Topr, Tstg)
工作溫度范圍是指集成電路能夠工作的溫度范圍。環(huán)境溫度越高，功率越低儲存溫度范圍是指該集成電路可儲存而不致過量的溫度范圍電氣特性的惡化。
1.5功耗(Pd)
指示特定單板在環(huán)境溫度(25℃)下可消耗的功率。對于包裝產(chǎn)品，Pd由最高結(jié)溫及熱阻。
2. 電氣特性
2.1輸入偏置電壓(VIO)
表示非反相端子和反相端子之間的電壓差。它可以認為是輸入電壓差設(shè)定所需的輸出電壓為0V。
2.2輸入偏置電壓漂移(αVIO)
表示輸入偏置電壓波動與環(huán)境溫度波動之比。
2.3輸入偏移電流(IIO)
反映反相端和非反相端輸入偏置電流的差值。
2.4輸入偏置電流漂移(αIIO)
表示輸入偏置電流波動與環(huán)境溫度波動之比。
2.5輸入偏置電流(IIB)
表示流入或流出輸入端的電流，由非反相端和輸入端輸入偏置電流的平均值來定義反相端偏置電流。
2.6電路電流(ICC)
指示在特定條件下和空載穩(wěn)定狀態(tài)下IC本身流動的電流。
2.7高電平輸出電壓/低電平輸出電壓(VOH/VOL)
表示在特定負載條件下可以輸出的電壓范圍，一般分為高電平輸出電壓和低電平輸出電壓電壓。高電平輸出電壓為輸出電壓的上限，低電平輸出電壓為輸出電壓的下限。
2.8差分電壓放大(AVD)
輸出電壓相對于非反相端和反相端之間的電壓差的放大率(增益)，即(通常)放大相對于直流電壓的速率(增益)。AVD =(輸出電壓波動)/(輸入偏置波動)
2.9輸入共模電壓范圍(VICR)
IC正常工作的輸入電壓范圍。
2.10共模抑制比(CMRR)
表示同相輸入電壓變化時，輸入偏置電壓的波動比(直流波動)。CMRR =(輸入共模電壓變化)/(輸入偏置波動)
2.11電源抑制比(KSVR)
表示電源電壓變化時輸入偏置電壓波動之比(直流波動)。KSVR =(電源電壓變化)/(輸入偏移量波動)
2.12輸出源電流/輸出匯電流(IOH/IOL)
在特定的輸出條件下能輸出的最大電流，分為輸出源電流和輸出匯聚電流。輸出源電流表示流出IC的電流，輸出sink電流表示流入IC的電流。
2.13串音衰減(VO1/VO2)
表示輸入偏移電壓或輸出電壓相對于被驅(qū)動通道輸出電壓的變化的波動量。
2.14單位增益回轉(zhuǎn)率(SR)
指示提供輸入階躍信號時輸出電壓的時間波動比。
2.15統(tǒng)一增益帶寬(B1)
即給定的信號頻率與該頻率處運放增益的乘積，即該頻率的近似值，其中，th
三、LM358DR中文參數(shù)/資料
放大器類型：通用
封裝：8-SOIC
電路數(shù)：2
壓擺率：0.3V/μs
增益帶寬積：700 kHz
電流 - 輸入偏置：20 nA
電壓 - 輸入補償：1 mV
電流 - 供電：600μA
電流 - 輸出/通道：40 mA
電壓 - 跨度(最小值)：3 V
電壓 - 跨度(最大值)：32 V
工作溫度：-40°C ~ 85°C
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-SOIC(0.154"，3.90mm 寬)
四、LM358DR引腳圖、示意圖、封裝圖
LM358DR引腳圖
LM358DR示意圖
LM358DR封裝圖
