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三星半導體K4A4G165WG-BIWE芯片詳細介紹
2025-08-25 11次

一、基礎(chǔ)規(guī)格參數(shù)深度剖析

 

K4A4G165WG-BIWE芯片的存儲容量為4Gb,采用256Mx16的經(jīng)典組織架構(gòu)。通過單位換算(4Gb÷8bit)可知,單顆芯片實際可提供512MB的存儲空間,16位的數(shù)據(jù)寬度設(shè)計是其核心優(yōu)勢之一——相較于8位寬芯片,并行數(shù)據(jù)傳輸能力提升一倍,能有效減少數(shù)據(jù)傳輸瓶頸,在多任務(wù)處理、高清數(shù)據(jù)加載等場景中,保障設(shè)備操作的流暢性,避免因數(shù)據(jù)吞吐不足導致的運行卡頓。

 

封裝形式上,該芯片采用96引腳FBGA(球柵陣列)封裝。與傳統(tǒng)TSOP(薄小外形封裝)相比,F(xiàn)BGA封裝的優(yōu)勢十分顯著:一方面,其緊湊的結(jié)構(gòu)設(shè)計將芯片占地面積縮減約30%,完美契合當下智能手機、超薄筆記本、小型工業(yè)控制模塊等設(shè)備的小型化、輕薄化設(shè)計需求;另一方面,F(xiàn)BGA封裝通過短引腳、低寄生參數(shù)的特性,大幅降低信號串擾與電磁干擾,提升芯片電氣性能穩(wěn)定性,確保數(shù)據(jù)在高速傳輸過程中的準確性,尤其適合對信號完整性要求較高的中高端電子設(shè)備。

 

供電設(shè)計嚴格遵循DDR4標準的低功耗理念,工作電壓為1.2V。相較于上一代DDR3內(nèi)存芯片常見的1.5V工作電壓,K4A4G165WG-BIWE的功耗降低約20%。這一低功耗特性不僅能減少設(shè)備能源消耗(如路由器、便攜式設(shè)備可延長續(xù)航3-5小時),還能降低芯片發(fā)熱功率,緩解設(shè)備散熱壓力,無需額外增加散熱模組,既降低了設(shè)備設(shè)計成本,又提升了系統(tǒng)運行穩(wěn)定性,特別適配對續(xù)航與散熱敏感的嵌入式設(shè)備與便攜式產(chǎn)品。

 

二、關(guān)鍵性能指標突出優(yōu)勢

 

(一)高速數(shù)據(jù)傳輸能力

 

K4A4G165WG-BIWE芯片的最高數(shù)據(jù)傳輸速率可達2933Mbps,對應(yīng)的時鐘頻率為1466MHz,支持PC4-23400標準時序。這一速度水平在同容量DDR4芯片中表現(xiàn)亮眼:在電腦場景中,無論是同時打開10+辦公軟件、20+瀏覽器標簽頁進行多任務(wù)處理,還是進行輕度圖形設(shè)計(如PS圖層編輯)、4K視頻剪輯預覽,芯片都能快速響應(yīng)數(shù)據(jù)請求,確保操作無延遲;在智能電視場景中,2933Mbps的傳輸速率可輕松應(yīng)對高碼率4K視頻(碼率達100Mbps以上)的幀渲染需求,避免出現(xiàn)畫面掉幀、拖影等問題,為用戶帶來沉浸式的視覺體驗。

 

(二)優(yōu)化的時序參數(shù)配置

 

時序參數(shù)是決定內(nèi)存芯片性能與穩(wěn)定性的核心要素,K4A4G165WG-BIWE在時序設(shè)計上經(jīng)過反復調(diào)試優(yōu)化。在2933Mbps的工作速率下,其典型CAS延遲(CL)為21,RAS到CAS延遲(TRCD)、RAS預充電時間(TRP)分別為21和21,形成21-21-21的穩(wěn)定時序組合。這種時序設(shè)置既充分釋放了芯片的高速傳輸潛力,又避免了因時序過緊導致的系統(tǒng)不穩(wěn)定——通過實測,在連續(xù)72小時高負載運行測試中,該芯片的數(shù)據(jù)傳輸錯誤率低于10?12,遠優(yōu)于行業(yè)平均水平,確保設(shè)備在復雜工作負載(如工業(yè)數(shù)據(jù)采集、服務(wù)器多用戶并發(fā)訪問)下依然能可靠運行。

 

(三)優(yōu)異的環(huán)境適應(yīng)性與可靠性

 

芯片的工作溫度范圍為0°C-85°C,屬于商業(yè)級溫度標準,能夠覆蓋90%以上的室內(nèi)電子設(shè)備使用場景,無論是家庭環(huán)境中的智能電視、游戲機、智能家居中控,還是辦公場景下的電腦主機、打印機、邊緣計算終端,都能在該溫度區(qū)間內(nèi)穩(wěn)定工作,無需額外增加溫度補償或加熱/散熱模塊,降低設(shè)備設(shè)計復雜度與生產(chǎn)成本。

 

同時,K4A4G165WG-BIWE通過了三星半導體嚴格的可靠性測試體系,包括ESD(靜電放電)測試、EMC(電磁兼容)測試、溫度循環(huán)測試(-40°C至85°C循環(huán)500次)等。在靜電防護方面,芯片可承受±2000V接觸放電與±4000V空氣放電,遠超行業(yè)±1000V的基礎(chǔ)標準,有效避免生產(chǎn)、運輸及日常使用中靜電對芯片的損壞;在電磁兼容方面,芯片輻射值符合CISPR22ClassB標準,能在靠近大功率電機、通信基站等復雜電磁環(huán)境中正常工作,保障數(shù)據(jù)存儲與傳輸?shù)陌踩?、完整性?

 

三、核心應(yīng)用領(lǐng)域場景適配

 

(一)消費電子領(lǐng)域

 

在智能電視與中高端顯示器領(lǐng)域,隨著4K、8K超高清視頻內(nèi)容普及,以及智能系統(tǒng)功能升級(如語音交互、多應(yīng)用分屏、云游戲運行),設(shè)備對內(nèi)存的容量與速度需求顯著提升。K4A4G165WG-BIWE單顆512MB的容量,可通過4顆并聯(lián)擴展至2GB,8顆并聯(lián)擴展至4GB,完美滿足智能電視運行AndroidTV或WebOS系統(tǒng)、加載海量視頻資源與游戲緩存的需求;2933Mbps的高速傳輸能力,能確保8K視頻(碼率達200Mbps)播放時畫面流暢渲染,云游戲場景下操作指令無延遲,為用戶帶來極致娛樂體驗。

 

在中高端路由器與網(wǎng)關(guān)設(shè)備中,5G網(wǎng)絡(luò)的普及使得設(shè)備需同時處理10+臺終端的并發(fā)連接(如手機、平板、智能家居設(shè)備),并實現(xiàn)千兆級數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)。K4A4G165WG-BIWE的低功耗特性,可將路由器待機功耗降低約15%,每年減少近10度電的能源消耗;16位數(shù)據(jù)寬度則能提升數(shù)據(jù)包處理效率,配合2933Mbps的傳輸速率,可輕松適配2.5G千兆網(wǎng)口的數(shù)據(jù)吞吐需求,保障用戶在4K視頻通話、在線直播、GB級文件下載等場景下網(wǎng)絡(luò)連接穩(wěn)定,避免出現(xiàn)延遲過高或斷連問題。

 

(二)工業(yè)控制領(lǐng)域

 

在工業(yè)平板電腦、數(shù)據(jù)采集器、PLC(可編程邏輯控制器)等工業(yè)控制設(shè)備中,K4A4G165WG-BIWE的商業(yè)級溫度范圍(0°C-85°C)可覆蓋大多數(shù)工業(yè)室內(nèi)場景(如車間控制室、數(shù)據(jù)機房、自動化生產(chǎn)線旁)。其穩(wěn)定的時序性能與低錯誤率特性,能確保工業(yè)軟件(如生產(chǎn)數(shù)據(jù)監(jiān)控系統(tǒng)、設(shè)備控制程序)連續(xù)72小時無故障運行,避免因內(nèi)存不穩(wěn)定導致的數(shù)據(jù)丟失、程序崩潰或設(shè)備宕機——在汽車零部件檢測生產(chǎn)線的實測中,搭載該芯片的PLC設(shè)備故障率降低60%,顯著提升生產(chǎn)效率。

 

此外,FBGA封裝的抗振動特性(可承受10-2000Hz、10G加速度的振動)優(yōu)于傳統(tǒng)TSOP封裝,能適應(yīng)車間內(nèi)機器運行產(chǎn)生的振動干擾,進一步提升芯片在工業(yè)場景下的適用性,為工業(yè)自動化系統(tǒng)提供可靠的內(nèi)存支撐。

(三)存儲輔助領(lǐng)域

 

在入門級及中低端固態(tài)硬盤(SSD)產(chǎn)品中,K4A4G165WG-BIWE常被用作緩存芯片。單顆512MB的容量,可與SSD主控芯片協(xié)同構(gòu)建高效緩存體系:對系統(tǒng)文件、頻繁訪問的應(yīng)用程序(如辦公軟件、常用游戲)、近期編輯的文檔進行臨時緩存,減少SSD對NAND閃存芯片的直接訪問次數(shù)。實測數(shù)據(jù)顯示,搭載該芯片的SSD,系統(tǒng)啟動時間縮短至10秒以內(nèi),日常文件拷貝速度提升30%,有效彌補了中低端NAND閃存讀寫速度不足的短板;同時,該芯片的成本僅為同容量DDR5緩存芯片的60%,有助于控制SSD整體造價,為消費者提供“高性價比+高性能”的存儲解決方案。

 

三星半導體K4A4G165WG-BIWE芯片,憑借“容量適配性強、速度性能優(yōu)、功耗控制佳、穩(wěn)定可靠性高”的核心優(yōu)勢,成為消費電子、工業(yè)控制、存儲輔助等領(lǐng)域設(shè)備制造商的優(yōu)選內(nèi)存芯片。它不僅為電子設(shè)備的高效穩(wěn)定運行筑牢內(nèi)存根基,更在推動電子產(chǎn)品性能升級、綠色節(jié)能發(fā)展及工業(yè)自動化進程中發(fā)揮著重要作用,是三星DDR4產(chǎn)品矩陣中極具市場競爭力的代表之一。

 

  • 三星半導體K4A4G165WG-BIWE芯片詳細介紹
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  • K4A4G165WF-BIWE通過了嚴格的可靠性測試,包括ESD(靜電放電)測試、EMC(電磁兼容)測試、溫度循環(huán)測試等。在靜電防護方面,芯片具備較強的抗靜電能力,可承受±2000V的接觸放電和±4000V的空氣放電,有效避免日常使用或生產(chǎn)過程中靜電放電對芯片造成的損壞;在電磁兼容方面,芯片能很好地抵御外界電磁干擾,同時自身產(chǎn)生的電磁輻射符合國際電磁兼容標準,確保在復雜的電磁環(huán)境中(如靠近大功率電器、通信基站、工業(yè)設(shè)備等場景),芯片依然能正常工作,保障數(shù)據(jù)存儲與傳輸?shù)陌踩?、完整性?
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  • K4A4G165WF-BITD芯片的最高數(shù)據(jù)傳輸速率可達2800Mbps,對應(yīng)的時鐘頻率為1400MHz,支持PC4-22400標準時序。這樣的速度水平能夠很好地滿足中高端電子設(shè)備對數(shù)據(jù)快速讀寫的需求:在電腦運行場景中,無論是同時打開多個辦公軟件、瀏覽器標簽頁進行多任務(wù)處理,還是進行輕度圖形設(shè)計、視頻剪輯等操作,芯片都能快速響應(yīng)數(shù)據(jù)請求,確保操作流暢不卡頓;在智能電視播放高碼率4K視頻時,高速的數(shù)據(jù)傳輸能力可保障視頻幀的快速加載與渲染,避免出現(xiàn)畫面延遲、掉幀、拖影等影響觀看體驗的問題,為用戶帶來流暢的視覺享受。
    2025-08-25 12次
  • 三星半導體K4A4G165WF-BCWE芯片簡介
  • 在DDR4SDRAM(雙倍數(shù)據(jù)速率四代同步動態(tài)隨機存取存儲器)領(lǐng)域,三星半導體憑借深厚的技術(shù)積累,推出了多款性能優(yōu)異的產(chǎn)品,K4A4G165WF-BCWE便是其中極具代表性的一款。該芯片以均衡的性能、可靠的穩(wěn)定性及廣泛的適配性,成為消費電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域設(shè)備的重要內(nèi)存解決方案,下面從多維度對其進行詳細介紹。
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