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三星半導(dǎo)體 K4B4G1646E-BMK0 詳細(xì)介紹
2025-08-07 32次


一、引言

 

在數(shù)字化時(shí)代,存儲(chǔ)芯片需求激增,三星半導(dǎo)體的 K4B4G1646E-BMK0 作為行業(yè)代表性產(chǎn)品,在多領(lǐng)域發(fā)揮關(guān)鍵作用。了解它有助于把握存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展與應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。

 

二、產(chǎn)品概述

 

K4B4G1646E - BMK0 是 4Gb E - die DDR3L SDRAM?!?Gb” 存儲(chǔ)容量能滿足個(gè)人電腦、服務(wù)器、通信設(shè)備及嵌入式系統(tǒng)等多種設(shè)備需求;“DDR3L” 屬第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,低電壓設(shè)計(jì)比傳統(tǒng) DDR3 更節(jié)能。

 

它采用 1696FBGA 封裝,集成度高,利于在小空間實(shí)現(xiàn)電氣連接和散熱,保障工作穩(wěn)定。且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鉛無(wú)鹵,契合全球環(huán)保趨勢(shì),拓寬了市場(chǎng)應(yīng)用范圍。

 

三、技術(shù)特點(diǎn)

 

(一)工作電壓

 

支持 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的 1.35V(1.28V - 1.45V)和 1.5V(1.425V - 1.575V)兩種電壓。1.35V 低電壓選項(xiàng)降低設(shè)備功耗,對(duì)移動(dòng)設(shè)備和節(jié)能服務(wù)器吸引力大;寬電壓范圍增加了在不同電路設(shè)計(jì)中的適應(yīng)性,工程師可靈活選擇。

 

(二)數(shù)據(jù)傳輸速率

 

能實(shí)現(xiàn)多種速率:400MHz fCK 對(duì)應(yīng) 800Mb/sec/pin、533MHz fCK 對(duì)應(yīng) 1066Mb/sec/pin、667MHz fCK 對(duì)應(yīng) 1333Mb/sec/pin、800MHz fCK 對(duì)應(yīng) 1600Mb/sec/pin、933MHz fCK 對(duì)應(yīng) 1866Mb/sec/pin。高速傳輸提升系統(tǒng)效率,如加快電腦啟動(dòng)、加載程序,保障服務(wù)器高效處理大量任務(wù)。

 

(三)內(nèi)部架構(gòu)

 

8 Banks 設(shè)計(jì):允許同時(shí)處理多個(gè)數(shù)據(jù)訪問請(qǐng)求,提高并行處理能力。不同 Bank 可獨(dú)立讀寫,減少等待時(shí)間,提升響應(yīng)速度。

 

可編程特性

 

CAS 延遲:范圍 5 - 13,可根據(jù)場(chǎng)景優(yōu)化性能,如游戲中加快讀取,服務(wù)器中保證穩(wěn)定。

加性延遲:支持 0,CL - 2 CL - 1 時(shí)鐘,微調(diào)時(shí)序,提升系統(tǒng)性能和兼容性。

CAS 寫入延遲(CWL:隨傳輸速率變化,優(yōu)化寫入時(shí)序,保證數(shù)據(jù)準(zhǔn)確快速寫入。

8 位預(yù)取:一次操作預(yù)先讀取 8 位數(shù)據(jù)到緩存,減少讀取延遲,提高連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸效率。

脈沖長(zhǎng)度及相關(guān)特性:脈沖長(zhǎng)度為 8、4,tccd = 4,不允許無(wú)縫讀寫,確保不同頻率下數(shù)據(jù)穩(wěn)定傳輸。

雙向差分?jǐn)?shù)據(jù).Strobe:通過兩根信號(hào)線傳輸相反信號(hào),抑制共模干擾,提高高速傳輸?shù)目煽啃浴?/span>

內(nèi)部自校準(zhǔn):經(jīng) ZQ 引腳(RZQ240Ohm±1%)自動(dòng)調(diào)整電氣參數(shù),適應(yīng)環(huán)境變化,保證芯片最佳工作狀態(tài)。

管芯端接:利用 ODT 引腳減少信號(hào)反射,匹配阻抗,提高數(shù)據(jù)傳輸質(zhì)量。

異步復(fù)位:接收到復(fù)位信號(hào)可快速恢復(fù)初始狀態(tài),不依賴系統(tǒng)時(shí)鐘,提升系統(tǒng)可靠性。

 

(四)封裝與環(huán)保

 

96 球 FBGA 封裝,引腳布局和尺寸優(yōu)化,適配不同 PCB 設(shè)計(jì),便于安裝。產(chǎn)品無(wú)鹵素、無(wú)鉛且符合 rohs 標(biāo)準(zhǔn),減少電子廢棄物污染,體現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展理念。

 

四、應(yīng)用領(lǐng)域

 

(一)計(jì)算機(jī)領(lǐng)域

 

個(gè)人電腦:高速傳輸和合理容量滿足系統(tǒng)啟動(dòng)、程序加載及數(shù)據(jù)處理需求,保證大型軟件和游戲流暢運(yùn)行。

服務(wù)器:多 Bank 架構(gòu)、高速傳輸和自校準(zhǔn)特性,高效處理網(wǎng)絡(luò)請(qǐng)求和數(shù)據(jù)庫(kù)操作,支撐企業(yè)信息化運(yùn)營(yíng)。

 

(二)通信設(shè)備

 

基站:高速傳輸和低功耗適配基站,實(shí)時(shí)處理海量用戶數(shù)據(jù),降低能耗和運(yùn)營(yíng)成本。

交換機(jī)和路由器:滿足其高速處理和大容量緩存需求,保障大型網(wǎng)絡(luò)中數(shù)據(jù)快速準(zhǔn)確傳輸,避免擁塞和丟失。

 

(三)數(shù)據(jù)中心

 

大容量和高性能使其成為理想選擇,為海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理提供支持,保障數(shù)據(jù)服務(wù)高效運(yùn)行。

 

(四)嵌入式系統(tǒng)

 

工業(yè)控制:穩(wěn)定性和高速傳輸滿足工業(yè)設(shè)備實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理需求,提高生產(chǎn)效率和質(zhì)量。

智能家居設(shè)備:低功耗和合適容量適配智能音箱等設(shè)備,保證數(shù)據(jù)處理流暢,延長(zhǎng)續(xù)航。

 

五、注意事項(xiàng)

 

K4B4G1646E - BMK0 不適用于生命支持、關(guān)鍵醫(yī)療設(shè)備、安全設(shè)備、軍事應(yīng)用及政府采購(gòu)等特殊領(lǐng)域。這些領(lǐng)域?qū)π酒髽O高,該芯片難以滿足其嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。

 

六、總結(jié)

 

K4B4G1646E - BMK0 憑借存儲(chǔ)容量、傳輸速率、低功耗等優(yōu)勢(shì),在多領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,推動(dòng)行業(yè)發(fā)展。但需注意其特殊領(lǐng)域局限性。期待三星推出更多優(yōu)秀存儲(chǔ)芯片,滿足市場(chǎng)需求。

 

  • 三星半導(dǎo)體K4AAG165WB-MCRC的應(yīng)用地位及替代方案分析
  • 在高端筆記本電腦市場(chǎng),該芯片是輕薄本與游戲本的主流選擇。其16Gb容量與3200Mbps傳輸速度,可滿足多任務(wù)處理與大型游戲運(yùn)行需求。例如,在15英寸游戲本中,搭載兩顆K4AAG165WB-MCRC組成的32GB雙通道內(nèi)存,能同時(shí)支撐4K視頻剪輯、3A游戲運(yùn)行與后臺(tái)數(shù)據(jù)同步,內(nèi)存響應(yīng)延遲控制在80ns以內(nèi),較同類產(chǎn)品提升15%。其MCP封裝設(shè)計(jì)減少30%的PCB占用空間,為電池?cái)U(kuò)容留出更多空間,使設(shè)備續(xù)航延長(zhǎng)至10小時(shí)以上,成為OEM廠商的核心配置選項(xiàng)。
    2025-08-18 46次
  • 三星半導(dǎo)體K4AAG165WB-MCPB:高密度存儲(chǔ)的技術(shù)突破
  • 該器件采用先進(jìn)的MCP(多芯片封裝)技術(shù),將兩顆8GbDDR4芯片集成于單一封裝體內(nèi),總?cè)萘窟_(dá)到16Gb(2GB),組織形式為2G×8位。這種集成方式通過堆疊互聯(lián)技術(shù)將芯片垂直連接,相比傳統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì),在相同8mm×10mm封裝面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)了容量翻倍,存儲(chǔ)密度達(dá)到0.2Gb/mm2。封裝內(nèi)部采用TSV(硅通孔)技術(shù)替代傳統(tǒng)金線鍵合,使芯片間信號(hào)傳輸路徑縮短至50μm以內(nèi),信號(hào)延遲降低40%,同時(shí)減少了80%的互聯(lián)寄生電容,為高頻運(yùn)行提供了物理基礎(chǔ)。
    2025-08-18 94次
  • 三星半導(dǎo)體K4AAG165WB-BCWE:高性能存儲(chǔ)芯片的技術(shù)選型指南
  • 在現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)存儲(chǔ)性能需求持續(xù)攀升的背景下,三星半導(dǎo)體K4AAG165WB-BCWE作為一款DDR4 SDRAM芯片,憑借其卓越的技術(shù)參數(shù),在眾多存儲(chǔ)方案中脫穎而出,成為諸多高端應(yīng)用場(chǎng)景的理想之選。深入剖析其技術(shù)特性,有助于開發(fā)者在選型時(shí)做出精準(zhǔn)決策。
    2025-08-18 44次
  • 三星半導(dǎo)體K4AAG165WA-BIWE:物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的高效存儲(chǔ)基石
  • 在物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)飛速發(fā)展的今天,海量終端設(shè)備對(duì)存儲(chǔ)芯片的性能、功耗和穩(wěn)定性提出了嚴(yán)苛要求。三星半導(dǎo)體K4AAG165WA-BIWE作為一款高性能DDR4 SDRAM芯片,憑借其均衡的技術(shù)特性,成為物聯(lián)網(wǎng)多場(chǎng)景應(yīng)用的理想存儲(chǔ)解決方案,為各類智能設(shè)備提供高效的數(shù)據(jù)處理與存儲(chǔ)支撐。
    2025-08-18 29次
  • 三星半導(dǎo)體K4AAG165WA-BITD:符合汽車級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)解決方案
  • 三星半導(dǎo)體K4AAG165WA-BITD作為一款高性能DDR4 SDRAM芯片,從技術(shù)參數(shù)與認(rèn)證體系來(lái)看,完全符合汽車級(jí)器件的嚴(yán)苛要求,能夠滿足車載電子系統(tǒng)對(duì)可靠性、穩(wěn)定性和環(huán)境適應(yīng)性的特殊需求。
    2025-08-18 116次

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