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產(chǎn)品概述

三星半導體 K4B4G1646E-BMMA 是一款高性能的 DDR3L SDRAM 內(nèi)存芯片，由全球領(lǐng)先的半導體制造商三星電子設(shè)計生產(chǎn)。該芯片于 2016 年 6 月 24 日首次推出，最近一次規(guī)格更新在 2024 年 1 月 15 日，目前處于 Active（活躍）狀態(tài)，可正常訂購。作為三星內(nèi)存產(chǎn)品家族的重要成員，K4B4G1646E-BMMA 憑借其優(yōu)異的性能和廣泛的適應(yīng)性，在嵌入式系統(tǒng)和消費電子領(lǐng)域占據(jù)一席之地。

該芯片的容量為 4Gb（即 512MB），采用 256M x 16 的組織架構(gòu)，這意味著它包含 256 個存儲體，每個存儲體的位寬為 16 位，這種架構(gòu)設(shè)計使其能夠在保證存儲容量的同時提供高效的數(shù)據(jù)訪問能力。

技術(shù)規(guī)格

核心性能參數(shù)

技術(shù)類型：DDR3L SDRAM（低電壓雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器）

容量：4Gb（512MB）

組織架構(gòu)：256M x 16

數(shù)據(jù)傳輸率：1866 MT/s（兆傳輸每秒）

最大時鐘頻率：933 MHz

最小時鐘周期：1.072 ns

工作電壓：1.35V/1.5V（雙電壓支持）

工作溫度范圍：-40°C 至 95°C

總線寬度：x16

電壓特性

K4B4G1646E-BMMA 的雙電壓設(shè)計（1.35V/1.5V）是其顯著特點之一。這種設(shè)計使其能夠在不同應(yīng)用場景中靈活選擇：在 1.35V 模式下工作時，可以實現(xiàn)更低的功耗，適合對電池續(xù)航敏感的移動設(shè)備；而在 1.5V 模式下，則可以優(yōu)先保證性能表現(xiàn)，滿足高性能計算需求。

溫度適應(yīng)性

該芯片支持 - 40°C 至 95°C 的寬溫工作范圍，遠超出普通商用電子元件的溫度范圍，這使得它能夠適應(yīng)各種嚴苛環(huán)境條件，包括工業(yè)控制環(huán)境和極端溫度環(huán)境下的應(yīng)用。

性能優(yōu)勢

高速數(shù)據(jù)傳輸：1866 MT/s 的數(shù)據(jù)傳輸率和 933 MHz 的時鐘頻率確保了高效的數(shù)據(jù)處理能力，能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對內(nèi)存帶寬的高要求。

寬溫工作能力：從極寒到高溫的寬溫設(shè)計，使其在各種惡劣環(huán)境中都能保持穩(wěn)定工作，擴展了應(yīng)用范圍。

雙電壓支持：靈活的電壓選擇允許設(shè)計工程師在功耗和性能之間取得最佳平衡，適應(yīng)不同應(yīng)用場景的需求。

高可靠性：作為三星原廠產(chǎn)品，K4B4G1646E-BMMA 繼承了三星半導體一貫的高品質(zhì)標準，具有出色的一致性和長期可靠性。

RoHS 合規(guī)：符合歐盟 RoHS 環(huán)保標準，體現(xiàn)了對環(huán)境保護的重視，適合全球市場銷售和應(yīng)用。

封裝與物理特性

K4B4G1646E-BMMA 采用 96 引腳 FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array，細間距球柵陣列）封裝，這種封裝形式具有以下優(yōu)勢：

小型化設(shè)計，節(jié)省 PCB 板空間

良好的散熱性能，有利于芯片在高負載下工作

優(yōu)異的電氣性能，減少信號干擾

較高的機械強度，提高抗振動能力

雖然 K4B4G1646E-BMMA 的具體尺寸未在公開資料中詳細說明，但參考三星同系列產(chǎn)品（如 K4B4G1646E-BYMA）的規(guī)格，其封裝尺寸約為 13.30mm x 7.50mm，高度約 1.10mm，這種緊湊的尺寸使其適合空間受限的應(yīng)用場景。

應(yīng)用場景

根據(jù) K4B4G1646E-BMMA 的性能特點和三星同系列產(chǎn)品的應(yīng)用情況，該芯片適用于以下領(lǐng)域：

嵌入式系統(tǒng)：包括工業(yè)控制板、物聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)關(guān)設(shè)備和嵌入式計算平臺等

消費電子產(chǎn)品：如智能電視、機頂盒、游戲機等

網(wǎng)絡(luò)設(shè)備：路由器、交換機等網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施

醫(yī)療電子：部分醫(yī)療監(jiān)測設(shè)備和便攜式醫(yī)療儀器

汽車信息娛樂系統(tǒng)：雖然該型號不支持汽車級認證，但可用于車載信息娛樂系統(tǒng)等非安全關(guān)鍵部件

需要注意的是，該型號明確標注為 "automotive no"，即不適合用于汽車安全關(guān)鍵系統(tǒng)，設(shè)計工程師在選型時需特別注意這一點。

合規(guī)性與市場信息

環(huán)保認證：符合 RoHS 標準，不含鉛等有害物質(zhì)

HTS 編碼：85423239（用于國際貿(mào)易分類）

ECCN 編碼：EAR99（美國出口管制分類）

包裝規(guī)格：卷帶包裝（2000 個 / 卷），托盤包裝（112 個 / 盤或 1120 個 / 箱）

目前，K4B4G1646E-BMMA 可通過全球主要電子元件分銷商進行采購，三星及其授權(quán)分銷商提供穩(wěn)定的供貨保障。

總結(jié)

三星半導體 K4B4G1646E-BMMA 作為一款成熟的 DDR3L SDRAM 產(chǎn)品，憑借其 4Gb 容量、1866MT/s 的高速率、寬溫工作范圍和雙電壓支持等特性，為各類電子設(shè)備提供了可靠的內(nèi)存解決方案。其緊湊的封裝設(shè)計和 RoHS 合規(guī)特性進一步增強了其在全球市場的競爭力。

對于需要平衡性能與功耗、同時要求一定環(huán)境適應(yīng)性的應(yīng)用場景，K4B4G1646E-BMMA 無疑是一個值得考慮的選擇。設(shè)計工程師在具體應(yīng)用中應(yīng)參考三星官方數(shù)據(jù)手冊，以獲取更詳細的時序參數(shù)和設(shè)計指南，確保最佳的系統(tǒng)兼容性和性能表現(xiàn)。