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K4RCH046VM-2CLP是三星電子（Samsung）推出的一款高性能DDR5 DRAM內存模塊，主要面向人工智能（AI）、服務器、5G通信等對數據處理能力要求極高的領域。以下是其詳細技術規(guī)格與應用場景的解析：

核心技術參數

容量與架構

該模塊采用32GB總容量，組織形式為4Gx4，即由4個4Gb的存儲芯片組成，每個芯片位寬為4位，通過并行架構實現(xiàn)高帶寬傳輸。這種設計兼顧了大容量與高速數據吞吐，適用于處理復雜的多任務負載。

傳輸速度與能效

支持6400Mbps的數據傳輸速率，相比DDR4性能提升超過一倍。同時，其工作電壓為1.1V，較DDR4降低約30%的功耗，在保證高性能的同時實現(xiàn)了更低的能源消耗，尤其適合數據中心等對能效敏感的場景。

可靠性與穩(wěn)定性

集成OCD（On-DieECC）技術，可實時檢測并糾正單比特錯誤，顯著提升數據傳輸的穩(wěn)定性，尤其在處理大規(guī)模數據時能減少錯誤率，確保關鍵業(yè)務的連續(xù)性。此外，模塊支持0~85°C的寬溫度范圍，適應工業(yè)級環(huán)境需求。

封裝與接口

采用78球FBGA封裝，尺寸緊湊且電氣性能優(yōu)異。模塊符合DDR5標準接口規(guī)范，可兼容主流服務器和高端工作站平臺。

應用領域

人工智能與大數據：高帶寬和大容量特性可加速AI模型訓練與推理，支持實時處理海量數據（如醫(yī)療影像分析、金融風險預測）。

企業(yè)級服務器：滿足云計算、虛擬化等場景對內存帶寬和穩(wěn)定性的嚴苛要求，支持多租戶環(huán)境下的高效資源分配。

5G通信基礎設施：幫助基站和核心網設備實現(xiàn)低延遲、高并發(fā)的數據處理，支撐邊緣計算和物聯(lián)網應用。

高性能計算（HPC）：適用于科學模擬、基因測序等需要密集型內存訪問的領域，提升計算效率。

技術創(chuàng)新與行業(yè)意義

DDR5技術相比前代有多項突破：

雙32位子通道設計：將內存控制器的通道數翻倍，理論帶寬提升至DDR4的2倍，同時降低了系統(tǒng)延遲。

On-DIMMPMIC（電源管理芯片）：集成電源管理功能，優(yōu)化電壓穩(wěn)定性，減少對主板供電設計的依賴。

可持續(xù)性設計：通過更低的功耗和更高效的制造工藝（如12nm級制程和EUV技術），助力數據中心實現(xiàn)綠色節(jié)能目標。

產品狀態(tài)與兼容性

目前該型號處于樣品階段（ProductStatus:Sample），主要供合作伙伴進行系統(tǒng)驗證和開發(fā)測試。三星已通過該產品展示了其在DDR5領域的領先地位，未來量產版本有望進一步推動數據中心和高性能計算的技術革新。