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IGLR70R140D2S

現(xiàn)貨，推薦

IGLR70R140D2S GaN功率晶體管可提高高頻運(yùn)行時(shí)的效率。作為 CoolGaN ? G5 系列的一部分，它符合最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，可實(shí)現(xiàn)具有卓越效率的高可靠性設(shè)計(jì)。 它采用底部冷卻的 ThinPAK 封裝，非常適合具有纖薄外形的消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用。

Infineon英飛凌 IGLR70R140D2S 產(chǎn)品介紹
2026-04-14 62次

產(chǎn)品詳情


  • 支持高工作頻率
  • 實(shí)現(xiàn)最高的系統(tǒng)效率
  • 實(shí)現(xiàn)超高功率密度設(shè)計(jì)
  • 支持節(jié)省 BOM 成本

特性


  • 700 V e 模式功率晶體管
  • 超快切換
  • 無(wú)反向恢復(fù)電荷
  • 具有反向傳導(dǎo)能力
  • 低柵極電荷，低輸出電荷
  • 卓越的換向堅(jiān)固性
  • 低動(dòng)態(tài) RDS(on)
  • 高 ESD 耐受性：2 kV HBM - 1 kV CDM
  • 底部冷卻封裝
  • 通過(guò) JEDEC 認(rèn)證（JESD47、JESD22）

應(yīng)用


USB-C 充電器和適配器, 數(shù)據(jù)中心及 AI 數(shù)據(jù)中心解決方案, 電信基礎(chǔ)設(shè)施的 AC-DC 電源轉(zhuǎn)換, 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）, 工業(yè)電源

參數(shù)


類(lèi)型

描述

最高 ID (@25°C)

13 A

最高 IDpuls (@25°C)

23 A

QG

2.6 nC

RDS (on) (typ)

140 m?

最高 VDS

700 V

封裝

PG-TSON-8

環(huán)保認(rèn)證

RoHS compliant, Halogen free

目前計(jì)劃的可用性至少到

2035

系列

CoolGaN? Transistor 700 V G5

認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)

Standard

  • Infineon英飛凌 IMW65R010M2H 產(chǎn)品介紹
    • 采用 TO-247-3 封裝的 CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ)，能夠加速系統(tǒng)設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開(kāi)關(guān)操作和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)方面都有顯著改進(jìn)，適用于所有常見(jiàn)的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級(jí)組合。
    2026-04-14 52次
  • Infineon英飛凌 AIMBG75R050M2H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC? MOSFET 750 V 利用了英飛凌 20 多年的 SiC 經(jīng)驗(yàn)。它在性能、可靠性和穩(wěn)健性方面具有優(yōu)勢(shì)，具有柵極驅(qū)動(dòng)靈活性，可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化且高效的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)最高效率和功率密度。 創(chuàng)新的頂部冷卻封裝進(jìn)一步增強(qiáng)了CoolSiC? 750 V 的優(yōu)勢(shì)，提供了更高的密度、優(yōu)化的功率回路設(shè)計(jì)以及更少的系統(tǒng)和組裝成本。
    2026-04-14 84次
  • Infineon英飛凌 BAT15-02ELS 產(chǎn)品介紹
    • 這款英飛凌射頻肖特基二極管是一款硅低勢(shì)壘 N 型器件，片上集成有保護(hù)環(huán)，用于過(guò)壓保護(hù)。其低勢(shì)壘高度、低正向電壓和低結(jié)電容使 BAT15-02ELS 成為頻率高達(dá) 12 GHz 的應(yīng)用中混頻器和檢測(cè)器功能的合適選擇。
    2026-04-14 88次
  • Infineon英飛凌 IMW120R060M1H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封裝，基于最先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝構(gòu)建，經(jīng)過(guò)優(yōu)化，兼具性能和可靠性。這些包括 SiC 開(kāi)關(guān)中看到的最低柵極電荷和器件電容水平、反并聯(lián)二極管無(wú)反向恢復(fù)損耗、與溫度無(wú)關(guān)的低開(kāi)關(guān)損耗和無(wú)閾值導(dǎo)通特性。
    2026-04-14 109次
  • Infineon英飛凌 IMCQ120R078M2H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用頂部冷卻 Q-DPAK 封裝，專(zhuān)為廣泛用于工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶(hù)提供了出色的熱性能、更簡(jiǎn)便的組裝和更低的系統(tǒng)成本。頂部冷卻的 Q-DPAK 單開(kāi)關(guān)開(kāi)創(chuàng)了冷卻、能源效率、設(shè)計(jì)靈活性和性能的新時(shí)代。
    2026-04-14 109次
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