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采用 TO-247-3 封裝的 CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技術的優(yōu)勢為基礎，能夠加速系統(tǒng)設計，從而實現成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開關操作和軟開關拓撲的關鍵品質因數方面都有顯著改進，適用于所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級組合。

2026-04-14 52次

Infineon英飛凌 AIMBG75R050M2H 產品介紹

CoolSiC? MOSFET 750 V 利用了英飛凌 20 多年的 SiC 經驗。它在性能、可靠性和穩(wěn)健性方面具有優(yōu)勢，具有柵極驅動靈活性，可實現簡化且高效的系統(tǒng)設計，從而實現最高效率和功率密度。創(chuàng)新的頂部冷卻封裝進一步增強了CoolSiC? 750 V 的優(yōu)勢，提供了更高的密度、優(yōu)化的功率回路設計以及更少的系統(tǒng)和組裝成本。

2026-04-14 85次

Infineon英飛凌 BAT15-02ELS 產品介紹

這款英飛凌射頻肖特基二極管是一款硅低勢壘 N 型器件，片上集成有保護環(huán)，用于過壓保護。其低勢壘高度、低正向電壓和低結電容使 BAT15-02ELS 成為頻率高達 12 GHz 的應用中混頻器和檢測器功能的合適選擇。

2026-04-14 88次

Infineon英飛凌 IMW120R060M1H 產品介紹

CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封裝，基于最先進的溝槽半導體工藝構建，經過優(yōu)化，兼具性能和可靠性。這些包括 SiC 開關中看到的最低柵極電荷和器件電容水平、反并聯二極管無反向恢復損耗、與溫度無關的低開關損耗和無閾值導通特性。

2026-04-14 109次

Infineon英飛凌 IMCQ120R078M2H 產品介紹

CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用頂部冷卻 Q-DPAK 封裝，專為廣泛用于工業(yè)應用而設計。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供了出色的熱性能、更簡便的組裝和更低的系統(tǒng)成本。頂部冷卻的 Q-DPAK 單開關開創(chuàng)了冷卻、能源效率、設計靈活性和性能的新時代。

2026-04-14 109次

類型	描述
最高 ID (@25°C)	8.8 A
最高 IDpuls (@25°C)	14.8 A
QG	1.6 nC
RDS (on) (typ)	165 m?
最高 RDS (on)	235 m?
最高 VDS	700 V
封裝	PDFN
環(huán)保認證	RoHS compliant, Halogen free
認證標準	Industrial

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應用

參數

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