元器件分銷：

1、中電港正式上市！股價(jià)暴漲239%，市值突破306億元！

芯片半導(dǎo)體：

1、14nm工藝！三星電子已量產(chǎn)第一代WarBoy NPU芯片

2、存儲(chǔ)器大廠過寒冬，硅晶圓廠承壓！

3、SIA：2月份全球芯片市場下跌20%；分析師：半導(dǎo)體低迷今年將見底

4、人工智能芯片效率比拼 高通以 2:1 擊敗英偉達(dá)

晶圓代工：

1、臺(tái)積電赴德國設(shè)廠有新動(dòng)作，業(yè)界研判設(shè)廠計(jì)劃已接近成熟階段

2、供應(yīng)鏈消息稱臺(tái)積電將如期在2025年上線 2nm 工藝

元器件分銷

1、中電港正式上市！股價(jià)暴漲239%，市值突破306億元！

4月10日消息，電子元器件分銷龍頭中電港已于2023年4月10日在深交所主板掛牌上市。

上午盤中股價(jià)最高達(dá)到40.30元/股，漲幅最高達(dá)239.23%，總市值超過306億元。

中電港成立于2014年，是一家以電子元器件分銷為核心業(yè)務(wù)，并為客戶提供電子元器件信息查詢、選型替代、技術(shù)方案、產(chǎn)業(yè)資訊等服務(wù)的企業(yè)。

中電港是行業(yè)知名的電子元器件應(yīng)用創(chuàng)新與現(xiàn)代供應(yīng)鏈綜合服務(wù)平臺(tái)，其授權(quán)品牌包括高通、AMD、NXP、美光、ADI、瑞薩、英偉達(dá)等國際品牌。紫光展銳、長江存儲(chǔ)、華大半導(dǎo)體、瀾起、豪威科技、兆易創(chuàng)新、長鑫存儲(chǔ)、圣邦微等國內(nèi)品牌，覆蓋從CPU、GPU、MCU等處理器到存儲(chǔ)器、射頻器件、分立器件、傳感器器件等完備的產(chǎn)品類別。

芯片半導(dǎo)體

1、14nm工藝！三星電子已量產(chǎn)第一代WarBoy NPU芯片

4月7日，據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道，三星半導(dǎo)體已成功量產(chǎn)第一代WarBoy NPU芯片，采用三星14nm制程工藝。初代WarBoy芯片已經(jīng)完成量產(chǎn)，預(yù)計(jì)在不久的將來投入市場。

據(jù)悉，WarBoy是一款專為人工智能設(shè)計(jì)的神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)芯片，速度是普通GPU的十倍。主要負(fù)責(zé)某個(gè)部分的計(jì)算，例如影像、AI計(jì)算、圖像分析等。由于WarBoy只需要負(fù)責(zé)單個(gè)項(xiàng)目，在處理AI計(jì)算時(shí)，它的速度可以輕松超越市面上主流的GPU，且造價(jià)、售價(jià)也比專業(yè)級GPU更加便宜。

目前來說，大部分運(yùn)用訓(xùn)練AI大型語言模型的硬件設(shè)備都來自英偉達(dá)，例如英偉達(dá)A100加速顯卡，能夠提供高達(dá)19.5TFlops的單精度浮點(diǎn)性能。但投入到人工智能領(lǐng)域，只靠一張加速顯卡是辦不到。

當(dāng)然，像是英偉達(dá)A100、AMD的MI250這類計(jì)算加速顯卡，受限于產(chǎn)量問題也很難買到?，F(xiàn)如今非常多企業(yè)投入到人工智能領(lǐng)域。某種程度上來說，WarBoy不僅可以減少AI領(lǐng)域研發(fā)的成本，也能減少不必要的資源浪費(fèi)。足以見得，高性能計(jì)算卡正在專業(yè)領(lǐng)域扮演著重要的角色。

2、存儲(chǔ)器大廠過寒冬，硅晶圓廠承壓！

據(jù)此前《科創(chuàng)板日報(bào)》消息，伴隨產(chǎn)業(yè)庫存堆積，美光、鎧俠、SK海力士等多家存儲(chǔ)芯片龍頭均宣布減產(chǎn)或放緩?fù)顿Y。如今存儲(chǔ)器最大咖三星也跟進(jìn)減產(chǎn)行列。業(yè)界分析，存儲(chǔ)器廠多以生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型產(chǎn)品為主，是硅晶圓廠最穩(wěn)定且量大的出貨來源。三星減產(chǎn)恐沖擊臺(tái)灣三大半導(dǎo)體硅晶圓廠環(huán)球晶、臺(tái)勝科、合晶營運(yùn)。

綜觀存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，據(jù)市場研究公司Omdia的資料統(tǒng)計(jì)；2022年第3季，三星的DRAM全球市占率逾四成，穩(wěn)坐龍頭。SK海力士市占率29.9%，美光落在24.8%。

至于NAND方面，據(jù)集邦科技統(tǒng)計(jì)；三星同樣穩(wěn)居全球第一大廠，市占率33%，SK集團(tuán)19.9%排名第二，鎧俠市占15.6%居第三。

據(jù)統(tǒng)計(jì)，全球DRAM月產(chǎn)能約161.4萬片晶圓，NAND則有176.2萬片，隨存儲(chǔ)器原廠紛紛減產(chǎn)對硅晶圓廠出貨量勢必同步銳減，壓力倍增。

3、SIA：2月份全球芯片市場下跌20%；分析師：半導(dǎo)體低迷今年將見底

據(jù)eeNews報(bào)道，根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)的最新數(shù)據(jù)，由于市場繼續(xù)放緩，2月份半導(dǎo)體銷售額與去年同期相比下降了20%。

2023年2月的銷售額總計(jì)397億美元，比413億美元下降4%，比2022年2月的500億美元下降20.7%。受打擊最嚴(yán)重的是芯片的主要用戶中國，同比下降34.2%，美國比去年2月下降14.8%。所有地區(qū)的月度銷售額均下降：歐洲(-0.3%)、日本(-0.3%)、亞太地區(qū)/所有其他(-3.6%)、美洲(-5.3%) 和中國(-5.9 %)。

SIA總裁兼首席執(zhí)行官John Neuffer表示：“2月份全球半導(dǎo)體銷售額繼續(xù)放緩，連續(xù)第六個(gè)月同比和環(huán)比下降。短期市場周期性和宏觀經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)導(dǎo)致銷售降溫，但由于一系列終端市場的需求不斷增長，市場的中長期前景依然光明?！?/span>

4、人工智能芯片效率比拼 高通以 2:1 擊敗英偉達(dá)

4月9日消息，人工智能芯片是用于訓(xùn)練和運(yùn)行人工智能模型的專用硬件，高通公司和英偉達(dá)公司是目前兩家領(lǐng)先的人工智能芯片制造商，在近期公布的一組新的測試數(shù)據(jù)中，高通的人工智能芯片在三個(gè)衡量電源效率的指標(biāo)中以2比1擊敗了英偉達(dá)。

高通利用其在為手機(jī)等低功耗設(shè)備設(shè)計(jì)芯片的經(jīng)驗(yàn)，推出了一款專為云端和邊緣端提供高性能、低功耗人工智能處理的芯片，名為 Cloud AI 100。該芯片在周三公布的由 MLCommons 發(fā)布的測試數(shù)據(jù)中，在圖像分類和物體檢測方面分別達(dá)到了 227.4 次查詢每瓦特和 3.8 次查詢每瓦特的功率效率指標(biāo)，比英偉達(dá)的旗艦芯片 H100 更為出色。

晶圓代工

1、臺(tái)積電赴德國設(shè)廠有新動(dòng)作，業(yè)界研判設(shè)廠計(jì)劃已接近成熟階段

4月10日，據(jù)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》消息，臺(tái)積電供應(yīng)鏈透露，近期陸續(xù)接獲臺(tái)積電要求提供設(shè)備、耗材、廠務(wù)設(shè)施等出貨至德國的初步報(bào)價(jià)內(nèi)容。業(yè)界研判；這意味臺(tái)積電德國設(shè)廠計(jì)劃應(yīng)已接近成熟階段。據(jù)悉，臺(tái)積電赴美設(shè)立亞利桑那州新廠前夕，也曾對供應(yīng)商提出類似要求，之后便宣布美國新廠計(jì)劃。

對于赴德設(shè)廠，臺(tái)積電表示還在評估中，尚未定案。臺(tái)積電將于下周四舉行法說會(huì)，外界預(yù)期，除了公布首季財(cái)報(bào)、營運(yùn)展望，海外設(shè)廠規(guī)劃進(jìn)度等也會(huì)是關(guān)注焦點(diǎn)之一。

據(jù)悉，目前臺(tái)積電部分供應(yīng)商仍規(guī)劃維持在原來廠區(qū)生產(chǎn)，再運(yùn)送到臺(tái)積電的海外廠區(qū)，主要考察歐美地區(qū)各種成本都較高，必須等客戶在海外的訂單量達(dá)一定規(guī)模時(shí)，才會(huì)考慮前往設(shè)廠，改為在當(dāng)?shù)厣a(chǎn)。

2、供應(yīng)鏈消息稱臺(tái)積電將如期在2025年上線 2nm 工藝

根據(jù)供應(yīng)鏈消息，臺(tái)積電將如期在 2025 年上線 2nm 生產(chǎn)工藝。2025年下半年在新竹市寶山鄉(xiāng)進(jìn)入量產(chǎn)。

消息還表示，臺(tái)積電計(jì)劃在2026年推出N2P工藝，這一工藝將采用背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）技術(shù)。2nm芯片是臺(tái)積電的一個(gè)重大節(jié)點(diǎn)，該工藝將會(huì)采用納米片晶體管（Nanosheet），取代鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET），這意味著臺(tái)積電工藝正式進(jìn)入GAA晶體管時(shí)代。其中，2nm芯片相較于3nm芯片，在相同功耗下，速度快10-15%。在相同速度下，功耗降低25-30%。值得關(guān)注的是，代工技術(shù)從高K金屬柵極平面FET發(fā)展到FinFET再到MBCFET，目前正進(jìn)階到BSPDN。此外，三星也將在2nm工藝采用BSPDN技術(shù)。