h1_key

當(dāng)前位置：首頁 >新聞資訊 > 新品資訊>威世科技推出30V對(duì)稱雙通道MOSFET
威世科技推出30V對(duì)稱雙通道MOSFET
2023-02-03 456次
    

  Vishay TrenchFET® Gen V MOSFET

  ●節(jié)省空間型器件所需 PCB 空間比 PowerPAIR 6x5F 封裝減少 63%

  ●有助于減少元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)


  威世科技推出兩款新型30 V對(duì)稱雙通道n溝道功率MOSFET，將高邊和低邊 TrenchFET® Gen V MOSFET組合在3.3mm x 3.3 mmPowerPAIR® 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 適用于計(jì)算和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換，在提高能效的同時(shí)，減少元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。


威世科技推出30V對(duì)稱雙通道MOSFET


  目前發(fā)布的雙通道 MOSFET 可用來取代兩個(gè) PowerPAK 1212 封裝分立器件，節(jié)省 50% 基板空間，同時(shí)占位面積比 PowerPAIR 6x5F 封裝雙片 MOSFET 減小 63%。MOSFET 為 USB-C 電源筆記本電腦、服務(wù)器、直流冷卻風(fēng)扇和通信設(shè)備同步降壓轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換電路和 DC/DC 模塊設(shè)計(jì)人員提供節(jié)省空間。這些應(yīng)用中，SiZF5302DT 高低邊 MOSFET 提供了 50% 占空比和出色能效的優(yōu)質(zhì)效果，特別是在 1 A 到 4 A 電流條件下。而 SiZF5300DT 則是 12 A 到 15 A 重載的理想解決方案。

  SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 利用 Vishay 的 30 V Gen V 技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)異導(dǎo)通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V 和 4.5 V 下典型導(dǎo)通電阻分別為 2.02 mΩ 和 2.93 mΩ， SiZF5302DT 相同條件下導(dǎo)通電阻分別為 2.7 mΩ 和 4.4 mΩ。兩款 MOSFET 4.5 V 條件下典型柵極電荷分別為 9.5 nC 和 6.7 nC。超低導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即 MOSFET 功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)，比相似導(dǎo)通電阻的前代解決方案低 35 %。高頻開關(guān)應(yīng)用效率提高 2%，100 W 能效達(dá)到 98%。


  與前代解決方案對(duì)比


威世科技推出30V對(duì)稱雙通道MOSFET


  器件采用倒裝芯片技術(shù)增強(qiáng)散熱能力，獨(dú)特的引腳配置有助于簡(jiǎn)化 PCB 布局，支持縮短開關(guān)回路，從而減小寄生電感。SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 經(jīng)過 100% Rg 和 UIS 測(cè)試，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。


  器件規(guī)格表


威世科技推出30V對(duì)稱雙通道MOSFET


  • 意法半導(dǎo)體STM32N657I0H3Q微控制器深度解析
    • STM32N657I0H3Q是意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出的高性能ARM Cortex-M55內(nèi)核微控制器（MCU），屬于STM32N6系列中的旗艦型號(hào)。該芯片采用16nm FinFET先進(jìn)制程工藝，主頻高達(dá)800MHz，集成4.2MB連續(xù)SRAM，并融合了神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速器、圖形處理單元（GPU）及多模態(tài)外設(shè)接口，專為實(shí)時(shí)信號(hào)處理、邊緣AI及復(fù)雜嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
    2025-04-30 44次
  • 意法半導(dǎo)體STM32N655X0H3Q微控制器功能深度分析
    • STM32N655X0H3Q基于ARM? Cortex?-M55內(nèi)核設(shè)計(jì)，主頻高達(dá)800MHz，并集成Helium矢量處理技術(shù)，顯著提升了DSP級(jí)運(yùn)算效率。該技術(shù)通過單指令多數(shù)據(jù)（SIMD）架構(gòu)優(yōu)化矢量運(yùn)算，在音頻處理、數(shù)字濾波等場(chǎng)景中可實(shí)現(xiàn)超40%的算法加速。
    2025-04-30 47次
  • 意法半導(dǎo)體STM32N655L0H3Q產(chǎn)品綜合介紹
    • STM32N655L0H3Q基于意法半導(dǎo)體最新STM32N6系列設(shè)計(jì)，采用16nm FinFET先進(jìn)工藝，搭載Arm Cortex-M55內(nèi)核，主頻高達(dá)800MHz，并集成ArmHelium矢量處理技術(shù)，顯著提升了信號(hào)處理能力和指令執(zhí)行效率。其架構(gòu)優(yōu)化使得該芯片在復(fù)雜算法處理、高精度計(jì)算等場(chǎng)景下表現(xiàn)優(yōu)異，例如在工業(yè)控制中可快速響應(yīng)多任務(wù)調(diào)度需求。
    2025-04-30 55次
  • 意法半導(dǎo)體STM32N655A0H3Q:專為邊緣AI應(yīng)用設(shè)計(jì)
    • STM32N655A0H3Q是意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出的STM32N6系列高性能微控制器旗艦型號(hào)，專為邊緣AI應(yīng)用設(shè)計(jì)，結(jié)合了傳統(tǒng)MCU的低功耗、高集成度特性與專用AI加速單元的算力優(yōu)勢(shì)，成為工業(yè)控制、智能終端及物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的革新性解決方案。
    2025-04-30 42次
  • 意法半導(dǎo)體STM32N6首款?邊緣AI應(yīng)用MCU系列詳解
    • STM32N6系列是意法半導(dǎo)體（ST）推出的首款專為?邊緣AI應(yīng)用?設(shè)計(jì)的高性能微控制器（MCU），采用?MCU+NPU異構(gòu)架構(gòu)?，在低功耗、低成本基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)MPU級(jí)的AI算力。其核心亮點(diǎn)包括： ?先進(jìn)工藝?：基于16nm FinFET工藝，顯著提升能效與集成度。 ?高性能內(nèi)核?：搭載800MHz主頻的Arm?Cortex?-M55CPU，支持?Helium矢量處理技術(shù)?，強(qiáng)化DSP運(yùn)算能力，可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)預(yù)處理與后處理。
    2025-04-30 48次

    萬聯(lián)芯微信公眾號(hào)

    元器件現(xiàn)貨+BOM配單+PCBA制造平臺(tái)
    關(guān)注公眾號(hào)，優(yōu)惠活動(dòng)早知道！
    10s
    溫馨提示：
    訂單商品問題請(qǐng)移至我的售后服務(wù)提交售后申請(qǐng)，其他需投訴問題可移至我的投訴提交，我們將在第一時(shí)間給您答復(fù)
    返回頂部