h1_key

當(dāng)前位置:首頁 >新聞資訊 > 品牌資訊>美光>MICRON鎂光DDR5—系統(tǒng)級性能更上層樓(上)
MICRON鎂光DDR5—系統(tǒng)級性能更上層樓(上)
2022-11-21 1180次

   

  DDR5是DDR4的后繼產(chǎn)品,當(dāng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)意識到持續(xù)技術(shù)進(jìn)步帶來的巨大壓力時(shí),開發(fā)該產(chǎn)品旨在實(shí)現(xiàn)性能的顯著提高。

  雖然時(shí)鐘速度只是略有提高,但向多核CPU系統(tǒng)架構(gòu)的過渡促使計(jì)算性能逐漸提高。CPU核心數(shù)量的增長率超過了系統(tǒng)內(nèi)存帶寬的增長率。信號完整性、電源分配、復(fù)雜的布板和其他系統(tǒng)級挑戰(zhàn)限制了單個(gè)核心內(nèi)存帶寬的改進(jìn)。我們應(yīng)該選擇新的內(nèi)存架構(gòu)來滿足新一代單個(gè)核心帶寬的要求。



  雖然 DDR SDRAM 以前的迭代(例如,DDR3 向 DDR4 的迭代本質(zhì)上變化不大,但 DDR4 向 DDR5 迭代的意義遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了典型的迭代變化。DDR5 徹底改變了整個(gè) DDR 架構(gòu),在內(nèi)部封裝了更多的功能,取得了重大進(jìn)步。


  如何理解 DDR4 和 DDR5 ?

  DDR4 是 2014 年下半年發(fā)布的第四代雙數(shù)據(jù)速率 ( Double Data Rate,DDR ) 同步動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存( Synchronous Dynamic Random-Access Memory,SDRAM )。DDR 內(nèi)存可以在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)兩次發(fā)送和接收數(shù)據(jù)信號。這一速率是 20 世紀(jì) 70 年代、80 年代和 90 年代生產(chǎn)的最初的 DRAM 集成電路的兩倍。

  雖然 DDR5 是第五代,但與 DDR2、3 和 4 的升級迭代相比有了很大的變化。前代產(chǎn)品的重點(diǎn)都放在降低功耗上,其發(fā)展的主要推動因素來自移動和終端應(yīng)用,而 DDR5 的主要推動因素是進(jìn)一步提高帶寬的需求。當(dāng)前的內(nèi)存帶寬跟不上內(nèi)核數(shù)量越來越多的新型處理器的發(fā)展。


  不僅僅是升級

  DDR5 在整體性能方面比前幾代產(chǎn)品都要高,突破了服務(wù)器應(yīng)用的高速信號極限。然而,DDR5 遠(yuǎn)不止是其前幾代產(chǎn)品速度更快的一個(gè)版本。在 DDR4 的最大數(shù)據(jù)傳輸速率 3200MT/s 條件下比較 DDR4 和 DDR5 的帶寬,系統(tǒng)級模擬顯示 DDR5 的有效帶寬比 DDR4 增加了 1.36 倍。這一比較數(shù)據(jù)說明了 DDR5 在總體設(shè)計(jì)上有了很大的改進(jìn)。DDR5 在推出時(shí)數(shù)據(jù)傳輸速率有望提高到 4800MT/s,有效帶寬將躍升 1.87 倍,然而這僅僅是一個(gè)開始!隨著數(shù)據(jù)速率的提高,并在總體架構(gòu)變化的推動下,DDR5 系統(tǒng)帶寬會繼續(xù)提高,超過其當(dāng)前水平的兩倍以上。



  所有這些因素共同促成了革命性的性能增長,這是我們以前從未見過的??紤]到目前的技術(shù)狀況,以及重大技術(shù)的發(fā)展速度,DDR5 極有可能在未來五年左右成為很多系統(tǒng)(即使不是所有系統(tǒng))的標(biāo)準(zhǔn),就像 DDR4 取代 DDR3 那樣。從技術(shù)角度來看,這是個(gè)好消息。


  DDR5 能帶來什么?

  對更高帶寬和密度的需求已經(jīng)給科技行業(yè)帶來了巨大的挑戰(zhàn),DDR5 將成為新的標(biāo)準(zhǔn),有望在 2021 年滿足這些需求。

  一些預(yù)測已經(jīng)明確地指出,DDR4 很難撐過這十年,那么,DDR5 的巨大改進(jìn)是非常受歡迎的;為了滿足客戶期望的擴(kuò)展要求和性能目標(biāo),這是內(nèi)存技術(shù)發(fā)展的必要階段。



  新技術(shù)需要更多的內(nèi)存,而目前的 DDR4 SDRAM 在規(guī)模上有限,而從 DDR4 過渡到 DDR5,速度更快,效率更高,在 16Gb 和 32Gb 芯片規(guī)格下,DDR5 對比 DDR4 可實(shí)現(xiàn)兩倍以上的增長。那么,自然而然地,DDR5 的出現(xiàn)將在幾乎所有技術(shù)領(lǐng)域中掀起巨大變化。

  您應(yīng)該記住什么?DDR5 是一款革命性的硬件,其優(yōu)勢主要體現(xiàn)在性能上。進(jìn)入本世紀(jì) 20 年代后,我們都將使用——它給我們帶來的不僅僅是簡單的跨代升級。

  • 美光科技公司簡介、核心產(chǎn)品、優(yōu)勢、運(yùn)用
  • 美光科技是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一,專注于創(chuàng)新內(nèi)存和存儲解決方案的設(shè)計(jì)、開發(fā)和制造。它是動態(tài)隨機(jī)存取存儲器、NAND閃存和NOR閃存的主要供應(yīng)商之一。
    2025-06-16 191次
  • 美光低功耗內(nèi)存解決方案助力高通第二代驍龍XR2平臺
  • Micron美光科技宣布,其低功耗 LPDDR5X DRAM 和通用閃存 UFS 3.1 嵌入式解決方案現(xiàn)已通過高通 (Qualcomm Technologies) 最新的擴(kuò)展現(xiàn)實(shí) (XR) 平臺——第二代驍龍? XR2 驗(yàn)證。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 外形尺寸緊湊,提供更高速率、更優(yōu)性能和更低功耗,可靈活支持混合現(xiàn)實(shí) (MR) 和虛擬現(xiàn)實(shí) (VR) 設(shè)備。
    2023-11-01 518次
  • 美光將西安封測工廠投資逾 43 億元人民幣
  • 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè) Micron美光科技股份有限公司,今日宣布,計(jì)劃在未來幾年中對其位于中國西安的封裝測試工廠投資逾 43 億元人民幣。公司已決定收購力成半導(dǎo)體(西安)有限公司(力成西安)的封裝設(shè)備,還計(jì)劃在美光西安工廠加建新廠房,并引進(jìn)全新且高性能的封裝和測試設(shè)備,以期更好地滿足中國客戶的需求。
    2023-06-16 645次
  • 汽車行業(yè)主要發(fā)展趨勢及其對內(nèi)存與存儲的影響
  • 汽車是半導(dǎo)體行業(yè)增長最快的領(lǐng)域之一。據(jù)預(yù)測,汽車領(lǐng)域內(nèi)存(DRAM)與存儲(NAND/ NOR)市場總值將從 2021 年的 40 億美元增長到 2025 年的 100 億美元 (如圖 1 所示)。屆時(shí)汽車銷量預(yù)計(jì)將超過 9,700 萬輛,平均每輛汽車會搭載 16GB 的 DRAM 與 204GB 的 NAND,較 2021 年一輛普通汽車所需的 DRAM 和 NAND 容量分別提高了 3 倍和 4 倍。
    2023-05-16 660次
  • 美光加速紅帽Ceph存儲技術(shù)
  • 美光加速 Ceph 存儲解決方案使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)服務(wù)器,搭載了紅帽??Ceph? 存儲、美光高速 NVMe SSD 與 DRAM 內(nèi)存。該配置可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 3.2M 的 IOPS(每秒讀寫操作次數(shù))與高達(dá) 387 Gb/秒1的吞吐量。
    2023-03-06 968次

    萬聯(lián)芯微信公眾號

    元器件現(xiàn)貨+BOM配單+PCBA制造平臺
    關(guān)注公眾號,優(yōu)惠活動早知道!
    10s
    溫馨提示:
    訂單商品問題請移至我的售后服務(wù)提交售后申請,其他需投訴問題可移至我的投訴提交,我們將在第一時(shí)間給您答復(fù)
    返回頂部