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Nexperia安世半導體宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用。10 A、650 V SiC 肖特基二極管滿足工業級器件標準，可應對高電壓和高電流應用帶來的挑戰，包括開關模式電源、AC-DC 和 DC-DC 轉換器、電池充電基礎設施、不間斷電源和光伏逆變器，并提高持續運行性能。例如，相比僅使用硅基解決方案的數據中心，配備采用 Nexperia PSC1065K SiC 肖特基二極管設計電源的數據中心將更加符合嚴格的能源效率標準。

PSC1065K 具備不受溫度影響的電容開關和零恢復性能，提供先進的性能以及出色的品質因數(QC x VF)。其突出的開關性能幾乎不受電流和開關速度變化的影響。PSC1065K 的合并 PIN 肖特基(MPS)結構還具備其他優勢，例如出色的浪涌電流耐受能力，從而無需額外的保護電路。這些特性可顯著降低系統復雜性，使硬件設計人員能夠在耐用型高功率應用中，以更小的外形尺寸實現更高的效率。Nexperia(安世半導體)作為一系列高質量半導體技術產品的供應商，聲譽良好，值得設計人員信賴。

這款 SiC 肖特基二極管采用真 2 引腳(R2P)TO-220-2 通孔電源塑料封裝。其他封裝選項包括表面貼裝(DPAK R2P 和 D2PAK R2P)和采用真 2 引腳配置的通孔(TO-247-2)封裝，可在高達 175℃ 的高壓應用中增強可靠性。

  Nexperia SiC 產品組高級總監 Katrin Feurle 表示：

在當前可用的解決方案中，我們提供的高性能 SiC 肖特基二極管表現優異，對此我們倍感自豪。隨著人們的能源意識日漸增強，我們正致力于為市場帶來更多選擇和便利性，以滿足市場對高容量、高效率應用顯著增加的需求。

  Nexperia(安世半導體)計劃不斷增加其 SiC 二極管產品組合，包括工作電壓為 650 V 和 1200 V、電流范圍為 6-20 A 的和車規級器件。新款 SiC 二極管現可提供樣品，并于近日開始量產。