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      Nexperia安世半導體推出先進的650 V碳化硅二極管
      2023-04-20 302次

       

      Nexperia安世半導體宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用。10 A、650 V SiC 肖特基二極管滿足工業級器件標準,可應對高電壓和高電流應用帶來的挑戰,包括開關模式電源、AC-DC 和 DC-DC 轉換器、電池充電基礎設施、不間斷電源和光伏逆變器,并提高持續運行性能。例如,相比僅使用硅基解決方案的數據中心,配備采用 Nexperia PSC1065K SiC 肖特基二極管設計電源的數據中心將更加符合嚴格的能源效率標準。

       

      PSC1065K 具備不受溫度影響的電容開關和零恢復性能,提供先進的性能以及出色的品質因數(QC x VF)。其突出的開關性能幾乎不受電流和開關速度變化的影響。PSC1065K 的合并 PIN 肖特基(MPS)結構還具備其他優勢,例如出色的浪涌電流耐受能力,從而無需額外的保護電路。這些特性可顯著降低系統復雜性,使硬件設計人員能夠在耐用型高功率應用中,以更小的外形尺寸實現更高的效率。Nexperia(安世半導體)作為一系列高質量半導體技術產品的供應商,聲譽良好,值得設計人員信賴。

       

      這款 SiC 肖特基二極管采用真 2 引腳(R2P)TO-220-2 通孔電源塑料封裝。其他封裝選項包括表面貼裝(DPAK R2P 和 D2PAK R2P)和采用真 2 引腳配置的通孔(TO-247-2)封裝,可在高達 175℃ 的高壓應用中增強可靠性。

       

        Nexperia SiC 產品組高級總監 Katrin Feurle 表示:

      在當前可用的解決方案中,我們提供的高性能 SiC 肖特基二極管表現優異,對此我們倍感自豪。隨著人們的能源意識日漸增強,我們正致力于為市場帶來更多選擇和便利性,以滿足市場對高容量、高效率應用顯著增加的需求。

       

        Nexperia(安世半導體)計劃不斷增加其 SiC 二極管產品組合,包括工作電壓為 650 V 和 1200 V、電流范圍為 6-20 A 的和車規級器件。新款 SiC 二極管現可提供樣品,并于近日開始量產。

       

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