123,123

散熱設(shè)計(jì)不良會(huì)導(dǎo)致 MOSFET 過熱失效？MDD辰達(dá)半導(dǎo)體一文講透

在電源、BMS、車載電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體的 MOSFET 常年工作在大電流、高頻、高環(huán)境溫度條件下。很多現(xiàn)場失效案例中，MOSFET 本身參數(shù)選型并不低，但仍然頻繁燒毀，最終溯源發(fā)現(xiàn)，根本原因并非器件質(zhì)量，而是散熱設(shè)計(jì)不良。

2026-02-04 137次

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出低內(nèi)阻、強(qiáng)抗浪涌MOSFET，電池管理系統(tǒng)BMS中的關(guān)鍵元器件

在儲(chǔ)能BMS中，充放電控制和主動(dòng)均衡是兩大關(guān)鍵電路，都離不開高性能的MOSFET。MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出的MDDG03R04Q與MDDG04R06Q兩款N溝道MOSFET，采用先進(jìn)的 SGT工藝，輕松應(yīng)對(duì)BMS中的會(huì)遇到的挑戰(zhàn)。

2025-12-10 648次

芯伯樂24C02/24C04/24Cxx:百萬次擦寫非易失性存儲(chǔ)器的解決方案

在嵌入式系統(tǒng)與智能設(shè)備中，小容量、可重復(fù)擦寫的非易失性存儲(chǔ)器始終扮演著關(guān)鍵角色。芯伯樂24Cxx系列串行EEPROM憑借其標(biāo)準(zhǔn)化的接口、穩(wěn)定的性能與極低的功耗，成為存儲(chǔ)配置參數(shù)、用戶設(shè)置、運(yùn)行日志等的首選方案。無論是消費(fèi)電子、工業(yè)控制還是物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，都能見到它的身影。

2025-12-10 676次

芯伯樂低噪聲軌到軌運(yùn)放芯片XAD8605/8606/8608系列，11MHz帶寬高精度信號(hào)調(diào)理

在工業(yè)控制、汽車電子和便攜式設(shè)備等領(lǐng)域，對(duì)運(yùn)算放大器的性能要求越來越高，尤其是在帶寬、噪聲、功耗和輸入輸出范圍等方面的平衡。芯伯樂的XAD8605/XAD8606/XAD8608系列運(yùn)算放大器，以其11MHz帶寬、低噪聲、軌到軌輸入輸出和微安級(jí)功耗，為高精度信號(hào)處理提供了可靠的解決方案。

2025-12-10 1020次

VBGED1401——LFPAK56封裝，40V/0.8mΩ超低阻SGT MOSFET，刷新了中壓MOSFET的性能極限

2025-12-09 141次

* 我的問題/建議：
* 聯(lián)系電話：
上傳圖片（選填）：	請(qǐng)您提交2M以內(nèi)的jpg,gif,png格式文件
投訴訂單號(hào)（選填）：

h1_key

萬聯(lián)芯微信公眾號(hào)

4000-306-326