h1_key

  延時效率問題

  在應(yīng)用程序中可能存在死等延時的處理函數(shù)(用for或者do…while)。對比ST同樣的函數(shù)HK的芯片出現(xiàn)延時比ST慢，是因為HK的芯片在cpu和flash之間有一個4個word大小(編號為00，04，08，0c)的指令緩存，工程編譯之后，如果函數(shù)被存放到flash的地址的尾地址沒有從0開始的話，(比如函數(shù)的入口地址為0x08000004，會被放到編號04的字中，而不是編號0中)，就會出現(xiàn)執(zhí)行效率低的問題。

  如何避免這種問題呢?

  HK030/031/04A的應(yīng)用筆記中有指導(dǎo)說明，今天在這里用一個例子詳細說明修改方法:

  比如用戶使用uint32_tGItimer=1000000;voidDelayTimer(void){uint32_t i;for(i=0;i

  修改如下:voidDelayTimer(void){ uint32_t i; FLASH->ACR&= ~(0x00000010); for(i=0;iACR |= 0x00000010; }

  這樣修改后，就可以使調(diào)用函數(shù)延時指令執(zhí)行效率與ST一樣。因此用戶在使用030/031/04A做開發(fā)時如果程序中存在這樣死等待的延時函數(shù)，如果在時效上想與ST接近，建議采用這種方式修改。