


| 商品名稱 | 商品型號 | 品牌 | 價格 | 庫存 |
| 固態(tài)繼電器 | PLA160 | IXYS(艾賽斯) | 21.75215 | 50個 |
| 場效應管(MOSFET) | IXTK82N25P | IXYS(艾賽斯) | 26.36234 | 138個 |
| IGBT管/模塊 | FGW75XS120C | FUJI(富士電機) | 17.91700 | 7200個 |
| IGBT管/模塊 | FGW50N65WD | FUJI(富士電機) | 12.16700 | 300個 |
| IGBT管/模塊 | FGW50XS65C | FUJI(富士電機) | 8.62500 | 12000個 |
| IGBT管/模塊 | FGW75XS65D | FUJI(富士電機) | 13.91500 | 1200個 |
| IGBT管/模塊 | FGW75XS65C | FUJI(富士電機) | 13.31700 | 4800個 |
| IGBT管/模塊 | FGW40XS120C | FUJI(富士電機) | 11.13200 | 2400個 |
| IGBT管/模塊 | FGW40N120HD | FUJI(富士電機) | 19.09000 | 4800個 |
| IGBT管/模塊 | FGZ75XS120C | FUJI(富士電機) | 27.48500 | 2400個 |
| IGBT管/模塊 | FGW75N60HD | FUJI(富士電機) | 18.43450 | 4800個 |
| IGBT管/模塊 | FGW40N120WD | FUJI(富士電機) | 14.03000 | 4800個 |
| IGBT管/模塊 | 2MBI600VN-120-50 | FUJI(富士電機) | 603.75000 | 108個 |
| 場效應管(MOSFET) | IXTT50P10 | IXYS(艾賽斯) | 66.67681 | 10個 |
| 固態(tài)繼電器-MOS輸出(PhotoMOS) | LCA110 | IXYS(艾賽斯) | 10.22836 | 100個 |
| 固態(tài)繼電器 | PLA160 | IXYS(艾賽斯) | 21.75215 | 50個 |
| 場效應管(MOSFET) | IXTK82N25P | IXYS(艾賽斯) | 26.36234 | 138個 |
| IGBT管/模塊 | FGW75XS120C | FUJI(富士電機) | 17.91700 | 7200個 |
| IGBT管/模塊 | FGW50N65WD | FUJI(富士電機) | 12.16700 | 300個 |
| IGBT管/模塊 | FGW50XS65C | FUJI(富士電機) | 8.62500 | 12000個 |
| IGBT管/模塊 | FGW75XS65D | FUJI(富士電機) | 13.91500 | 1200個 |
| IGBT管/模塊 | FGW75XS65C | FUJI(富士電機) | 13.31700 | 4800個 |
| IGBT管/模塊 | FGW40XS120C | FUJI(富士電機) | 11.13200 | 2400個 |
| IGBT管/模塊 | FGW40N120HD | FUJI(富士電機) | 19.09000 | 4800個 |
| IGBT管/模塊 | FGZ75XS120C | FUJI(富士電機) | 27.48500 | 2400個 |
| IGBT管/模塊 | FGW75N60HD | FUJI(富士電機) | 18.43450 | 4800個 |
| IGBT管/模塊 | FGW40N120WD | FUJI(富士電機) | 14.03000 | 4800個 |
| IGBT管/模塊 | 2MBI600VN-120-50 | FUJI(富士電機) | 603.75000 | 108個 |
| 場效應管(MOSFET) | IXTT50P10 | IXYS(艾賽斯) | 66.67681 | 10個 |
| 固態(tài)繼電器-MOS輸出(PhotoMOS) | LCA110 | IXYS(艾賽斯) | 10.22836 | 100個 |
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