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    1. 產品分類

      產品中心

      Micron鎂光MT25QL128ABA1ESE-0SIT
      產品分類:NOR FLASH
      功能類型:微米系列NOR閃存
      Micron鎂光MT41K256M16TW-107:P
      產品分類:DDR SDRAM
      功能類型:SDRAM的低電壓版
      Micron鎂光MT29F2G01ABAGDWB-IT:G
      產品分類:NAND FLASH
      功能類型:閃存 NAND 存儲器
      Micron鎂光MT25QL128ABA1EW9-0SIT
      產品分類:NOR FLASH
      功能類型:FLASH - NOR 存儲器
      Micron鎂光MT41K128M16JT-125:K
      產品分類:DDR SDRAM
      功能類型:SDRAM-DDR3L存儲器
      Micron鎂光MT25QU01GBBB8ESF-0SIT
      產品分類:NOR FLASH
      功能類型:FLASH - NOR 存儲器
      Micron鎂光MT28EW01GABA1HJS-0SIT
      產品分類:NOR FLASH
      功能類型:FLASH - NOR 存儲器
      Micron鎂光MT47H128M16RT-25E
      產品分類:DDR SDRAM
      功能類型:SDRAM-DDR2 存儲器
      Micron鎂光MT25QL512ABB1EW9-0SIT
      產品分類:NOR FLASH
      功能類型:FLASH - NOR
      Micron鎂光MT25QU128ABA1ESE-0SIT
      產品分類:NOR FLASH
      功能類型:FLASH - NOR 存儲器

      特色產品

      Micron鎂光AR0130數字圖像傳感器CMOS
      AR0130是一個1/3英寸CMOS數字圖像傳感器SOR與活動像素陣列1280Hx960V。 它的上限用滾動震動讀出的圖像。 包括復雜的相機功能,如自動曝光控制、開窗以及視頻和單幀模式。 它是通過一個簡單的雙線可編程的串行接口。 AR0130產生了異常清晰、銳利的數碼圖片及其捕捉的能力連續視頻和單幀使其成為適合廣泛應用的完美選擇,包括游戲系統、監控和高清視頻。
      Micron鎂光M25P16串行閃存NOR FLASH
      M25P16是16Mb (2Mb x 8)串行閃存設備,有先進的寫保護機制,通過高速spi兼容總線訪問。支持時鐘頻率高達75MHz的高性能命令。使用PAGE PROGRAM命令一次可以對內存進行1到256字節的編程。它被組織成32個扇區,每個扇區包含256頁。每個頁面是256字節寬。內存可以被視為8,192頁或2,097152字節??梢允褂肂ULK ERASE命令擦除整個內存,也可以使用sector ERASE命令一次擦除一個扇區。

      品牌介紹

      Micron鎂光

      Micron鎂光科技公司(Micron Technology, Inc.),公司級建于1978年,總部位于美國愛德荷州,Micron是全球第二大內存顆粒芯片廠,美國500強企業,全球領先的高級半導體解決方案提供商之一。Micron鎂光是全球儲器龍頭存廠商,Micron鎂光主要業務為生產多種形式的半導體器件,包括動態隨機存取存儲器,閃存和固態驅動器;其主要產品包括DRAM、NAND快閃存儲器、CMOS影像感測器、其它半導體元件和內存模組。產品在國內極少現身,這是因為美光很少將自己的優質顆粒賣給其他內存品牌。其極品顆粒供自家DIY品牌Crucial使用及品牌機OEM市場。在IBM.COMPAQ.HP.Dell等國際知名品牌都可以看到其內存顆粒的產品??芍浞€定性及超頻性好。

      Micron鎂光

      應用場景

      • Micron鎂光工業應用

        工業應用

      • Micron鎂光通訊應用

        通訊應用

      • Micron鎂光消費電子

        消費電子

      • Micron鎂光智能家居

        智能家居

      • Micron鎂光新能量汽車

        新能量汽車

      • Micron鎂光智能與安全

        智能與安全

      相關資源

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      美光低功耗內存解決方案助力高通第二代驍龍XR2平臺   Micron美光科技宣布,其低功耗 LPDDR5X DRAM 和通用閃存 UFS 3.1 嵌入式解決方案現已通過高通 (Qualcomm Technologies) 最新的擴展現實 (XR) 平臺——第二代驍龍? XR2 驗證。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 外形尺寸緊湊,提供更高速率、更優性能和更低功耗,可靈活支持混合現實 (MR) 和虛擬現實 (VR) 設備。LPDDR5X 是目前美光最先進的低功耗內存,通過創新的 1α 制程節點技術和 JEDEC 能效優化實現更低功耗。          全球增強現實(AR)和虛擬現實(VR)市場規模從 2021 年1起,以 24% 的復合年均增長率成長,預計在 2030 年前 有望達到 2,000 億美元。美光嵌入式產品可為擴展現實應用提供強大的即用解決方案,加速消費者普及,并不斷拓展市場潛力。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 能夠在多個應用和傳感器間實現并行處理,通過無縫集成元宇宙中不斷變化的形態、位置和感知,為 VR 用戶打造真實的沉浸式體驗。 美光 LPDDR5X 可實現高達 8.533 Gbps 的峰值速率,同時向后兼容 6.4 Gbps 速率的 LPDDR5,在降低功耗的同時,為設備制造商提供了平臺集成的靈活性。     美光副總裁暨嵌入式市場總經理   Chris Jacobs 表示:   “元宇宙蘊藏著巨大潛力,將徹底改變我們的工作和娛樂方式。要將這種創新變為現實,我們需要高性能、低功耗的硬件,以滿足混合現實體驗對超快速度的要求。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 解決方案是下一代 XR 設備的理想之選,為開啟豐富的虛擬世界體驗提供所需的性能和功耗?!?   今年 9 月 27 日最新發布的第二代驍龍 XR2 處理器通過與 Meta 密切合作開發,已在 Meta 最新推出的頭顯 Meta Quest 3 上首次投入商用。第二代驍龍 XR2 平臺提供單芯片架構,可在更輕薄、更舒適且無需外置電池組的頭顯中實現全新的沉浸式 MR 和 VR 體驗。Meta Quest 3 空間計算平臺能提供無延遲的體驗,帶來令人驚嘆的視覺效果和身臨其境的音效,使用戶感受到虛擬內容與現實世界的融合,并實現 MR 和 VR 體驗之間的無縫轉換。   與上一代產品相比,LPDDR5X 的功耗降低了 24%2,通過延長電池續航時間,實現了更出色的用戶體驗,是 MR 和 VR 頭顯設備的理想之選。美光 LPDDR5X 可實現 8.533 Gbps 的峰值數據傳輸速率,使元宇宙應用的數據訪問速度提高了 33%3,從而縮短了響應時間。美光基于 1α 制程節點的 LPDDR5X 內存,可為擴展現實設備提供更出色的容量密度、性能和能效。   美光 UFS 3.1 客戶端存儲是全球首款采用美光 176 層 NAND 技術的 UFS,擁有緊湊的外形尺寸和高存儲密度,為 MR 和 VR 頭顯等小型設備提供更高的設計靈活性。   美光 128GB UFS 3.1 和 8GB LPDDR5X 現已通過高通驍龍平臺驗證,并由美光銷售渠道、經銷商及合作伙伴向 MR 生態系統供貨。   1根據 Prescient & Strategic Intelligence 公司的 AR 和 VR 市場報告:按類型(AR,VR),產品(硬件,軟件),設備類型(AR 設備,VR 設備),應用領域(消費端,商業端,企業端)- 2030年前行業分析和增長預測   2在模擬測試中,與上一代 LPDDR5 (6.4 Gbps) 相比,峰值數據傳輸速率 (8.533 Gbps) 狀態下的 LPDDR5X 功耗更低   3根據已公布的 JEDEC 規范 (8.533/6.4 = 1.33),將 LPDDR5X (8.533 Gbps) 和上一代 LPDDR5 (6.4 Gbps) DRAM 的峰值數據傳輸速率進行對比  
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      美光推出基于1β技術的DDR5內存7,200MT/s   Micron美光宣布1β(1-beta)制程技術應用于16Gb 容量版本的 DDR5 內存。美光 1β DDR5 DRAM 在系統內的速率高達 7,200 MT/s,現已面向數據中心及 PC 市場的所有客戶出貨?;?1β 節點的美光 DDR5 內存采用先進的 High-K CMOS 器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術1,相比上一代產品,性能提升高達 50%2,每瓦性能提升 33%3。          隨著 CPU 內核數量的不斷增加以滿足數據中心工作負載需求,系統對更高的內存帶寬與容量的需求也顯著增長,從而在應對“內存墻”挑戰的同時優化客戶的總體擁有成本。美光 1β DDR5 DRAM 支持計算能力向更高的性能擴展,能支持數據中心和客戶端平臺上的人工智能(AI)訓練和推理、生成式 AI、數據分析和內存數據庫(IMDB)等應用。全新 1β DDR5 DRAM 產品線提供速率從 4,800 MT/s 到 7,200 MT/s 的現有模塊密度,能夠滿足數據中心和客戶端的應用需求。 美光核心計算設計工程部門企業副總裁 Brian Callaway 表示:面向客戶端和數據中心平臺的 1β DDR5 DRAM 量產及出貨,標志著行業的一個重要里程碑。我們與生態系統合作伙伴及客戶緊密合作,將推動高性能內存產品的市場普及。     美光的 1β 技術已應用至公司廣泛的內存解決方案,包括:   ●采用 16Gb、24Gb 和 32Gb DRAM 裸片的 DDR5 RDIMM 和 MCRDIMM;   ●采用 16Gb 和 24Gb DRAM 裸片的 LPDDR5X; ●HBM3E 和 GDDR7。     行業引語   華碩消費性產品事業處協理陳奕彰表示:華碩是消費類和游戲應用領域高性能筆記本電腦的領導廠商。內存子系統向 DDR5 過渡是華碩重點關注的領域。我們很高興推出搭載美光 1β DDR5 內存的華碩和 ROG 筆記本電腦,從而為客戶提供卓越的用戶體驗。   Ampere Computing 首席產品官 Jeff Wittich 表示:Ampere 的云原生處理器搭載美光領先的 1β DDR5 提供了一流的計算解決方案,能夠滿足超大規模數據中心的性能、可擴展性和功耗需求。在 AmpereOne? 平臺上使用速率高 7,200MT/s 的美光 1β DDR5,將持續推動人工智能、機器學習和所有高性能計算應用的發展。 Cadence 高級副總裁兼 IP 事業部總經理 Boyd Phelps 表示:我們很高興與美光合作,利用我們業界領先的 DDR5、LPDDR5X、GDDR6 和 HBM3 IP 系統解決方案搭配美光先進的內存產品組合,為針對特定應用進行優化的下一代平臺提供支持。通過搭載美光先進的 1β DDR5 內存,我們評估和驗證了高性能 DDR5 IP 速率可高達 7,200MT/s。   1 JEDEC 可選的 SRX/NOP 時鐘同步(CLK_SYNC)功能旨在減輕美光 1βnm 器件支持的四相時鐘架構中主處理器與 DRAM 之間的工作周期失真效應。   2 基于理論最大帶寬,器件級性能提升為(7200-4800)/4800。   3 每瓦性能(理論最大帶寬,器件級):Y52K 7200MT/s 與 Y32A 4800MT/s。根據預測的 Gstress 總線利用率 7200MT/s(58%)計算,并在 SPR E-step 系統中測量。  

      萬聯芯城

      萬聯芯城成立于2014年1月2日,隸屬于深圳市萬聯芯科技有限公司,是中國首批嘗試開發電子元器件小批量采購的垂直電商平臺之一;萬聯芯城以“讓供應鏈更高效,讓智造更簡單”為使命驅動,可為中小制造終端用戶提供元器件現貨、BOM配單、PCBA制造等一站式電子制造解決方案。

      自創立以來,萬聯芯城一直堅守著“以良心做好良芯”的理念,相繼獲得航順芯片、川土微電子、先科ST、順絡電子、日電產科寶、長電科技、厚聲、金升陽、日本東信工業、長江連接器等30余家國內外知名原廠的授權代理資格。 萬聯芯堅持“一切以用戶為中心”的服務理念,服務客戶數超過50000家,覆蓋工業控制、通信、物聯網、醫療、汽車等行業。

      萬聯芯城先后獲得國家高新技術企業、深圳市電子商會“副會長單位”、深圳市電子商會“優秀...

      萬聯芯城logo
      萬聯芯城知名元器件供應鏈服務平臺
      知名元器件供應鏈服務平臺
      萬聯芯城卓越的元器件供應服務
      卓越的元器件供應服務
      萬聯芯城“3位一體”全服務鏈團隊
      “3位一體”全服務鏈團隊

      企業文化

      服務行業

      推薦品牌

      • 萬聯芯城推薦品牌
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