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Micron鎂光MT25QL128ABA1ESE-0SIT
產(chǎn)品分類：NOR FLASH
功能類型：微米系列NOR閃存
Micron鎂光MT41K256M16TW-107:P
產(chǎn)品分類：DDR SDRAM
功能類型：SDRAM的低電壓版
Micron鎂光MT29F2G01ABAGDWB-IT:G
產(chǎn)品分類：NAND FLASH
功能類型：閃存 NAND 存儲器
Micron鎂光MT25QL128ABA1EW9-0SIT
產(chǎn)品分類：NOR FLASH
功能類型：FLASH - NOR 存儲器
Micron鎂光MT41K128M16JT-125:K
產(chǎn)品分類：DDR SDRAM
功能類型：SDRAM-DDR3L存儲器
Micron鎂光MT25QU01GBBB8ESF-0SIT
產(chǎn)品分類：NOR FLASH
功能類型：FLASH - NOR 存儲器
Micron鎂光MT28EW01GABA1HJS-0SIT
產(chǎn)品分類：NOR FLASH
功能類型：FLASH - NOR 存儲器
Micron鎂光MT47H128M16RT-25E
產(chǎn)品分類：DDR SDRAM
功能類型：SDRAM-DDR2 存儲器
Micron鎂光MT25QL512ABB1EW9-0SIT
產(chǎn)品分類：NOR FLASH
功能類型：FLASH - NOR
Micron鎂光MT25QU128ABA1ESE-0SIT
產(chǎn)品分類：NOR FLASH
功能類型：FLASH - NOR 存儲器

特色產(chǎn)品

Micron鎂光AR0130數(shù)字圖像傳感器CMOS
AR0130是一個(gè)1/3英寸CMOS數(shù)字圖像傳感器SOR與活動像素陣列1280Hx960V。 它的上限用滾動震動讀出的圖像。 包括復(fù)雜的相機(jī)功能，如自動曝光控制、開窗以及視頻和單幀模式。 它是通過一個(gè)簡單的雙線可編程的串行接口。 AR0130產(chǎn)生了異常清晰、銳利的數(shù)碼圖片及其捕捉的能力連續(xù)視頻和單幀使其成為適合廣泛應(yīng)用的完美選擇，包括游戲系統(tǒng)、監(jiān)控和高清視頻。
Micron鎂光M25P16串行閃存NOR FLASH
M25P16是16Mb (2Mb x 8)串行閃存設(shè)備，有先進(jìn)的寫保護(hù)機(jī)制，通過高速spi兼容總線訪問。支持時(shí)鐘頻率高達(dá)75MHz的高性能命令。使用PAGE PROGRAM命令一次可以對內(nèi)存進(jìn)行1到256字節(jié)的編程。它被組織成32個(gè)扇區(qū)，每個(gè)扇區(qū)包含256頁。每個(gè)頁面是256字節(jié)寬。內(nèi)存可以被視為8,192頁或2,097152字節(jié)?？梢允褂肂ULK ERASE命令擦除整個(gè)內(nèi)存，也可以使用sector ERASE命令一次擦除一個(gè)扇區(qū)。

品牌介紹

Micron鎂光

Micron鎂光科技公司（Micron Technology, Inc.），公司級建于1978年，總部位于美國愛德荷州，Micron是全球第二大內(nèi)存顆粒芯片廠，美國500強(qiáng)企業(yè)，全球領(lǐng)先的高級半導(dǎo)體解決方案提供商之一。Micron鎂光是全球儲器龍頭存廠商，Micron鎂光主要業(yè)務(wù)為生產(chǎn)多種形式的半導(dǎo)體器件，包括動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，閃存和固態(tài)驅(qū)動器；其主要產(chǎn)品包括DRAM、NAND快閃存儲器、CMOS影像感測器、其它半導(dǎo)體元件和內(nèi)存模組。產(chǎn)品在國內(nèi)極少現(xiàn)身，這是因?yàn)槊拦夂苌賹⒆约旱膬?yōu)質(zhì)顆粒賣給其他內(nèi)存品牌。其極品顆粒供自家DIY品牌Crucial使用及品牌機(jī)OEM市場。在IBM.COMPAQ.HP.Dell等國際知名品牌都可以看到其內(nèi)存顆粒的產(chǎn)品?？芍浞€(wěn)定性及超頻性好。

Micron鎂光

應(yīng)用場景

  • Micron鎂光工業(yè)應(yīng)用

    工業(yè)應(yīng)用

  • Micron鎂光通訊應(yīng)用

    通訊應(yīng)用

  • Micron鎂光消費(fèi)電子

    消費(fèi)電子

  • Micron鎂光智能家居

    智能家居

  • Micron鎂光新能量汽車

    新能量汽車

  • Micron鎂光智能與安全

    智能與安全

相關(guān)資源

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美光低功耗內(nèi)存解決方案助力高通第二代驍龍XR2平臺   Micron美光科技宣布，其低功耗 LPDDR5X DRAM 和通用閃存 UFS 3.1 嵌入式解決方案現(xiàn)已通過高通 (Qualcomm Technologies) 最新的擴(kuò)展現(xiàn)實(shí) (XR) 平臺——第二代驍龍? XR2 驗(yàn)證。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 外形尺寸緊湊，提供更高速率、更優(yōu)性能和更低功耗，可靈活支持混合現(xiàn)實(shí) (MR) 和虛擬現(xiàn)實(shí) (VR) 設(shè)備。LPDDR5X 是目前美光最先進(jìn)的低功耗內(nèi)存，通過創(chuàng)新的 1α 制程節(jié)點(diǎn)技術(shù)和 JEDEC 能效優(yōu)化實(shí)現(xiàn)更低功耗。          全球增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)和虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)市場規(guī)模從 2021 年1起，以 24% 的復(fù)合年均增長率成長，預(yù)計(jì)在 2030 年前 有望達(dá)到 2,000 億美元。美光嵌入式產(chǎn)品可為擴(kuò)展現(xiàn)實(shí)應(yīng)用提供強(qiáng)大的即用解決方案，加速消費(fèi)者普及，并不斷拓展市場潛力。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 能夠在多個(gè)應(yīng)用和傳感器間實(shí)現(xiàn)并行處理，通過無縫集成元宇宙中不斷變化的形態(tài)、位置和感知，為 VR 用戶打造真實(shí)的沉浸式體驗(yàn)。 美光 LPDDR5X 可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 8.533 Gbps 的峰值速率，同時(shí)向后兼容 6.4 Gbps 速率的 LPDDR5，在降低功耗的同時(shí)，為設(shè)備制造商提供了平臺集成的靈活性。     美光副總裁暨嵌入式市場總經(jīng)理   Chris Jacobs 表示：   “元宇宙蘊(yùn)藏著巨大潛力，將徹底改變我們的工作和娛樂方式。要將這種創(chuàng)新變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)，我們需要高性能、低功耗的硬件，以滿足混合現(xiàn)實(shí)體驗(yàn)對超快速度的要求。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 解決方案是下一代 XR 設(shè)備的理想之選，為開啟豐富的虛擬世界體驗(yàn)提供所需的性能和功耗。”   今年 9 月 27 日最新發(fā)布的第二代驍龍 XR2 處理器通過與 Meta 密切合作開發(fā)，已在 Meta 最新推出的頭顯 Meta Quest 3 上首次投入商用。第二代驍龍 XR2 平臺提供單芯片架構(gòu)，可在更輕薄、更舒適且無需外置電池組的頭顯中實(shí)現(xiàn)全新的沉浸式 MR 和 VR 體驗(yàn)。Meta Quest 3 空間計(jì)算平臺能提供無延遲的體驗(yàn)，帶來令人驚嘆的視覺效果和身臨其境的音效，使用戶感受到虛擬內(nèi)容與現(xiàn)實(shí)世界的融合，并實(shí)現(xiàn) MR 和 VR 體驗(yàn)之間的無縫轉(zhuǎn)換。   與上一代產(chǎn)品相比，LPDDR5X 的功耗降低了 24%2，通過延長電池續(xù)航時(shí)間，實(shí)現(xiàn)了更出色的用戶體驗(yàn)，是 MR 和 VR 頭顯設(shè)備的理想之選。美光 LPDDR5X 可實(shí)現(xiàn) 8.533 Gbps 的峰值數(shù)據(jù)傳輸速率，使元宇宙應(yīng)用的數(shù)據(jù)訪問速度提高了 33%3，從而縮短了響應(yīng)時(shí)間。美光基于 1α 制程節(jié)點(diǎn)的 LPDDR5X 內(nèi)存，可為擴(kuò)展現(xiàn)實(shí)設(shè)備提供更出色的容量密度、性能和能效。   美光 UFS 3.1 客戶端存儲是全球首款采用美光 176 層 NAND 技術(shù)的 UFS，擁有緊湊的外形尺寸和高存儲密度，為 MR 和 VR 頭顯等小型設(shè)備提供更高的設(shè)計(jì)靈活性。   美光 128GB UFS 3.1 和 8GB LPDDR5X 現(xiàn)已通過高通驍龍平臺驗(yàn)證，并由美光銷售渠道、經(jīng)銷商及合作伙伴向 MR 生態(tài)系統(tǒng)供貨。   1根據(jù) Prescient & Strategic Intelligence 公司的 AR 和 VR 市場報(bào)告：按類型(AR，VR)，產(chǎn)品(硬件，軟件)，設(shè)備類型(AR 設(shè)備，VR 設(shè)備)，應(yīng)用領(lǐng)域(消費(fèi)端，商業(yè)端，企業(yè)端)- 2030年前行業(yè)分析和增長預(yù)測   2在模擬測試中，與上一代 LPDDR5 (6.4 Gbps) 相比，峰值數(shù)據(jù)傳輸速率 (8.533 Gbps) 狀態(tài)下的 LPDDR5X 功耗更低   3根據(jù)已公布的 JEDEC 規(guī)范 (8.533/6.4 = 1.33)，將 LPDDR5X (8.533 Gbps) 和上一代 LPDDR5 (6.4 Gbps) DRAM 的峰值數(shù)據(jù)傳輸速率進(jìn)行對比  
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Micron美光宣布開始送樣增強(qiáng)版通用閃存UFS 4.0   Micron美光科技股份有限公司，宣布開始送樣增強(qiáng)版通用閃存(UFS) 4.0 移動解決方案，該方案具有突破性專有固件功能并采用業(yè)界領(lǐng)先的緊湊型 UFS 封裝 (9 x 13mm) ?；谙冗M(jìn)的 232 層 3D NAND 技術(shù)， 美光 UFS 4.0 解決方案可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 1 TB 容量，其卓越性能和端到端技術(shù)創(chuàng)新將助力旗艦智能手機(jī)實(shí)現(xiàn)更快的響應(yīng)速度和更靈敏的使用體驗(yàn)。        美光 UFS 4.0 的順序讀取速度和順序?qū)懭胨俣确謩e高達(dá) 4300 MBps 和 4000 MBps，較前代產(chǎn)品相比性能1提升一倍，為數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供了更出色的使用體驗(yàn)。憑借高速性能，用戶能更快地啟動常用的生產(chǎn)力、創(chuàng)意和新興 AI 應(yīng)用。生成式 AI 應(yīng)用中的大語言模型加載速度可提高 40%2，為用戶與 AI 數(shù)字助手的對話提供更流暢的使用體驗(yàn)。 美光最新推出的 UFS 4.0 解決方案采用業(yè)界領(lǐng)先的緊湊型 UFS 封裝，在降低功耗的同時(shí)可提供一流的存儲性能。該解決方案憑借突破性的固件升級，使智能手機(jī)始終保持出廠時(shí)的流暢運(yùn)行狀態(tài)，同時(shí)通過更強(qiáng)的性能、靈活性和可擴(kuò)展性，進(jìn)一步提升了移動存儲性能標(biāo)準(zhǔn)，助力智能手機(jī)加速普及生成式 AI 功能。     緊湊的封裝設(shè)計(jì)為超薄節(jié)能型智能手機(jī)奠定基礎(chǔ) 自去年 6 月推出 11mm x 13mm 封裝規(guī)格的 UFS 4.0 解決方案后，美光進(jìn)一步縮小 UFS 4.0 的外形規(guī)格以實(shí)現(xiàn)更緊湊的 9mm x 13mm 托管型 NAND 封裝。尺寸更小巧的 UFS 4.0 為下一代折疊及超薄智能手機(jī)設(shè)計(jì)帶來了更多可能性，制造商可利用節(jié)省出來的空間放置更大容量的電池。此外，新版UFS 4.0解決方案可將能效提升 25%3，使用戶在運(yùn)行 AI、AR、游戲和多媒體等耗電量高的應(yīng)用時(shí)獲得更長的續(xù)航時(shí)間。     美光專有固件創(chuàng)新，進(jìn)一步提升移動閃存標(biāo)準(zhǔn)   此次增強(qiáng)版 UFS 4.0 基于美光去年量產(chǎn)的 UFS 4.0 產(chǎn)品，可提供多項(xiàng)專有固件更新功能，包括：   ? 高性能模式 (HPM)：該專有功能通過優(yōu)先處理關(guān)鍵任務(wù)而非后臺任務(wù)，以提升智能手機(jī)在密集使用期間的性能。開啟 HPM 后，存儲訪問速度可提升一倍，助力手機(jī)在啟動多應(yīng)用時(shí)速度提升超過 25%4。   ? 一鍵刷新 (OBR)：OBR 功能通過自動清理和優(yōu)化數(shù)據(jù)，幫助用戶獲得更持久的卓越性能，使智能手機(jī)始終保持宛如全新狀態(tài)的流暢運(yùn)行體驗(yàn)。更快的讀/寫性能可提升10% 的應(yīng)用啟動速度5，實(shí)現(xiàn)更快的相冊訪問速度和流暢的多任務(wù)處理，為用戶提供更好的體驗(yàn)。 ? 分區(qū) UFS (ZUFS)：美光 UFS 4.0 現(xiàn)支持主機(jī)指定不同的數(shù)據(jù)存儲區(qū)域，以提升設(shè)備的長期使用體驗(yàn)。ZUFS 能夠有效應(yīng)對寫入放大現(xiàn)象，在不降低設(shè)備性能的前提下，盡可能利用有限的編程和擦除周期，從而延長智能手機(jī)使用壽命，并長期保持流暢的使用體驗(yàn)。     美光工程師團(tuán)隊(duì)在其全球?qū)嶒?yàn)室中通過預(yù)測新興使用場景、模擬現(xiàn)實(shí)應(yīng)用環(huán)境以及與客戶密切協(xié)作收集反饋，成功打造出這些創(chuàng)新的固件功能。在位于美國、中國和韓國的客戶聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室中，美光與智能手機(jī)廠商密切合作，通過了解廠商面臨的痛點(diǎn)問題，開發(fā)具有針對性的解決方案來解決技術(shù)瓶頸。     美光增強(qiáng)版 UFS 4.0 現(xiàn)已出樣，并提供 256 GB、512GB 和 1TB 的容量選項(xiàng)。擴(kuò)展的容量可支持旗艦智能手機(jī)容納設(shè)備端 AI 助手分析和生成的所有數(shù)據(jù)，以及用戶不斷增加的圖片素材，釋放 AI 的優(yōu)勢并獲得比云存儲更高的安全性。通過本地?cái)?shù)據(jù)存儲，用戶能夠在離線或網(wǎng)絡(luò)信號不穩(wěn)定的情況下隨時(shí)訪問個(gè)人數(shù)據(jù)，從強(qiáng)大的 AI 功能中受益。  

萬聯(lián)芯城

萬聯(lián)芯城成立于2014年1月2日，隸屬于深圳市萬聯(lián)芯科技有限公司，是中國首批嘗試開發(fā)電子元器件小批量采購的垂直電商平臺之一；萬聯(lián)芯城以“讓供應(yīng)鏈更高效，讓智造更簡單”為使命驅(qū)動，可為中小制造終端用戶提供元器件現(xiàn)貨、BOM配單、PCBA制造等一站式電子制造解決方案。

自創(chuàng)立以來，萬聯(lián)芯城一直堅(jiān)守著“以良心做好良芯”的理念，相繼獲得航順芯片、川土微電子、先科ST、順絡(luò)電子、日電產(chǎn)科寶、長電科技、厚聲、金升陽、日本東信工業(yè)、長江連接器等30余家國內(nèi)外知名原廠的授權(quán)代理資格。 萬聯(lián)芯堅(jiān)持“一切以用戶為中心”的服務(wù)理念，服務(wù)客戶數(shù)超過50000家，覆蓋工業(yè)控制、通信、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療、汽車等行業(yè)。

萬聯(lián)芯城先后獲得國家高新技術(shù)企業(yè)、深圳市電子商會“副會長單位”、深圳市電子商會“優(yōu)秀...

萬聯(lián)芯城logo
萬聯(lián)芯城知名元器件供應(yīng)鏈服務(wù)平臺
知名元器件供應(yīng)鏈服務(wù)平臺
萬聯(lián)芯城卓越的元器件供應(yīng)服務(wù)
卓越的元器件供應(yīng)服務(wù)
萬聯(lián)芯城“3位一體”全服務(wù)鏈團(tuán)隊(duì)
“3位一體”全服務(wù)鏈團(tuán)隊(duì)

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