


| 商品名稱 | 商品型號 | 品牌 | 價格 | 庫存 |
| 穩(wěn)壓二極管 | 1N4752A-TAP | VISHAY(威世) | 0.17940 | 50000個 |
| IGBT管/模塊 | IKQ75N120CH3 | Infineon(英飛凌) | 30.70500 | 1680個 |
| 場效應(yīng)管(MOSFET) | FMW60N027S2FDHF | FUJI(富士電機) | 34.76450 | 1800個 |
| IGBT管/模塊 | IKW40N120CS6 | Infineon(英飛凌) | 13.02950 | 46個 |
| 場效應(yīng)管(MOSFET) | FMH07N90E | FUJI(富士電機) | 4.40450 | 10000個 |
| IGBT管/模塊 | IKW75N65EL5 | Infineon(英飛凌) | 18.17000 | 650個 |
| 場效應(yīng)管(MOSFET) | IRFR9220TRPBF | VISHAY(威世) | 1.98950 | 20000個 |
| IGBT管/模塊 | FGW75XS120C | FUJI(富士電機) | 17.91700 | 7200個 |
| 整流橋 | US1M-E3/61T | VISHAY(威世) | 0.14145 | 1800個 |
| 整流橋 | VF30100S-E3/4W | VISHAY(威世) | 3.20850 | 5000個 |
| 場效應(yīng)管(MOSFET) | SI4455DY-T1-GE3 | VISHAY(威世) | 2.63350 | 12500個 |
| 整流橋 | SF1600-TAP | VISHAY(威世) | 0.97750 | 25000個 |
| 場效應(yīng)管(MOSFET) | FMW60N070S2HF | FUJI(富士電機) | 15.31800 | 600個 |
| IGBT管/模塊 | FGW50N65WD | FUJI(富士電機) | 12.16700 | 300個 |
| IGBT管/模塊 | FGW50XS65C | FUJI(富士電機) | 8.62500 | 12000個 |
| 穩(wěn)壓二極管 | 1N4752A-TAP | VISHAY(威世) | 0.17940 | 50000個 |
| IGBT管/模塊 | IKQ75N120CH3 | Infineon(英飛凌) | 30.70500 | 1680個 |
| 場效應(yīng)管(MOSFET) | FMW60N027S2FDHF | FUJI(富士電機) | 34.76450 | 1800個 |
| IGBT管/模塊 | IKW40N120CS6 | Infineon(英飛凌) | 13.02950 | 46個 |
| 場效應(yīng)管(MOSFET) | FMH07N90E | FUJI(富士電機) | 4.40450 | 10000個 |
| IGBT管/模塊 | IKW75N65EL5 | Infineon(英飛凌) | 18.17000 | 650個 |
| 場效應(yīng)管(MOSFET) | IRFR9220TRPBF | VISHAY(威世) | 1.98950 | 20000個 |
| IGBT管/模塊 | FGW75XS120C | FUJI(富士電機) | 17.91700 | 7200個 |
| 整流橋 | US1M-E3/61T | VISHAY(威世) | 0.14145 | 1800個 |
| 整流橋 | VF30100S-E3/4W | VISHAY(威世) | 3.20850 | 5000個 |
| 場效應(yīng)管(MOSFET) | SI4455DY-T1-GE3 | VISHAY(威世) | 2.63350 | 12500個 |
| 整流橋 | SF1600-TAP | VISHAY(威世) | 0.97750 | 25000個 |
| 場效應(yīng)管(MOSFET) | FMW60N070S2HF | FUJI(富士電機) | 15.31800 | 600個 |
| IGBT管/模塊 | FGW50N65WD | FUJI(富士電機) | 12.16700 | 300個 |
| IGBT管/模塊 | FGW50XS65C | FUJI(富士電機) | 8.62500 | 12000個 |
工業(yè)應(yīng)用
電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施
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